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物理  2017, Vol.46 Issue (10): 645-657  DOI:10.7693/wl20171001
新型阻变存储器的物理研究与产业化前景
(1 中国科学院微电子研究所 微电子器件与集成技术重点实验室 北京 100029) (2 中国科学院大学 北京 100049) (3 江苏先进生物与化学制造协同创新中心 南京 210023)>
The physics and industrialization prospects of RRAMs
(1 Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China) (2 University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China) (3 Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM),Nanjing 210023,China)>

摘要

阻变存储器具有结构简单、速度快、存储密度高、易于三维集成等诸多优点,是下一代存储器的重要候选之一。文章详细介绍了阻变存储器的工作原理、电阻转变的物理机制、电阻转变过程中的物理效应以及阻变存储器的集成和产业化前景。

Abstract

With its advantages of simple structure, fast speed, high storage density, ease of integration, good compatibility with CMOS processes, and so forth, the resistive switching random access memory (RRAM) is an important candidate for next-generation memories. This paper introduces in detail the operation principle of RRAMs, their resistive switching mechanism,physical effects in switching, and their integration and industrialization prospects.
收稿日期:2017-08-17

基金资助

国家自然科学基金( 批准号: 61521064, 61322408, 61422407,61522408,61574169,61334007,61474136,61574166,61376112)、国家重点研发计划( 批准号: 2016YFA0201803, 2016YFA0203800,2017YFB0405603)资助项目;科技北京百名领军人才培养工程项目(批准号:Z151100000315008)、北京市科技计划课题(批准号:Z17110300200000)、中国科学院前沿科学重点研究项目( 批准号:QYZDY-SSW-JSC001,QYZDB-SSW-JSC048)、中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室课题基金资助项目

引用本文

[中文]
张颖,龙世兵,刘明. 新型阻变存储器的物理研究与产业化前景[J]. 物理, 2017, 46(10): 645-657.
[英文]
ZHANG Ying,LONG Shi-Bing,LIU Ming. The physics and industrialization prospects of RRAMs[J]. Physics, 2017, 46(10): 645-657.
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