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非对称结构大功率940 nm量子阱激光器

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蒋锴, 李沛旭, 张新, 汤庆敏, 夏伟, 徐现刚. 2014: 非对称结构大功率940 nm量子阱激光器, 强激光与粒子束, 26(5): 110-114. doi: 10.11884/HPLPB201426.051022
引用本文: 蒋锴, 李沛旭, 张新, 汤庆敏, 夏伟, 徐现刚. 2014: 非对称结构大功率940 nm量子阱激光器, 强激光与粒子束, 26(5): 110-114. doi: 10.11884/HPLPB201426.051022
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Jiang Kai, Li Peixu, Zhang Xin, Tang Qingmin, Xia Wei, Xu Xiangang. 2014: High power 940 nm quantum well laser with asymmetric structure, High Power Lase and Particle Beams, 26(5): 110-114. doi: 10.11884/HPLPB201426.051022
Citation: Jiang Kai, Li Peixu, Zhang Xin, Tang Qingmin, Xia Wei, Xu Xiangang. 2014: High power 940 nm quantum well laser with asymmetric structure, High Power Lase and Particle Beams, 26(5): 110-114. doi: 10.11884/HPLPB201426.051022
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非对称结构大功率940 nm量子阱激光器

  • 晶体材料国家重点实验室(山东大学),济南,250100

  • 山东华光光电子有限公司,济南,250101

  • 晶体材料国家重点实验室(山东大学),济南250100;山东华光光电子有限公司,济南250101

High power 940 nm quantum well laser with asymmetric structure

  • 摘要: 为改善940 nm大功率InGaAs/GaAs半导体激光器输出特性,通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布,并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件.采用低压金属有机物气相沉积(LP MOCVD)生长技术,获得了低内吸收系数的高质量外延材料,通过实验数据计算得到激光器材料内吸收系数仅为0.44 mm-1.进而通过管芯工艺制作了条宽100 μm、腔长2000 μm的940 nm半导体激光器器件.25 ℃室温10 A直流连续(CW)测试镀膜后器件阈值电流251 mA,斜率效率1.22 W/A,最大输出功率达到9.6W,最大光电转化效率超过70％.
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出版历程
  • 刊出日期:  2014-05-30

非对称结构大功率940 nm量子阱激光器

  • 晶体材料国家重点实验室(山东大学),济南,250100
  • 山东华光光电子有限公司,济南,250101
  • 晶体材料国家重点实验室(山东大学),济南250100;山东华光光电子有限公司,济南250101

摘要: 为改善940 nm大功率InGaAs/GaAs半导体激光器输出特性,通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布,并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件.采用低压金属有机物气相沉积(LP MOCVD)生长技术,获得了低内吸收系数的高质量外延材料,通过实验数据计算得到激光器材料内吸收系数仅为0.44 mm-1.进而通过管芯工艺制作了条宽100 μm、腔长2000 μm的940 nm半导体激光器器件.25 ℃室温10 A直流连续(CW)测试镀膜后器件阈值电流251 mA,斜率效率1.22 W/A,最大输出功率达到9.6W,最大光电转化效率超过70％.

English Abstract

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