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脉冲宽度对核电磁脉冲烧毁RS触发器效应的影响

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米国浩, 杜正伟, 曹雷团, 吴强, 陈曦. 2014: 脉冲宽度对核电磁脉冲烧毁RS触发器效应的影响, 强激光与粒子束, 26(5): 216-221. doi: 10.11884/HPLPB201426.053203
引用本文: 米国浩, 杜正伟, 曹雷团, 吴强, 陈曦. 2014: 脉冲宽度对核电磁脉冲烧毁RS触发器效应的影响, 强激光与粒子束, 26(5): 216-221. doi: 10.11884/HPLPB201426.053203
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Mi Guohao, Du Zhengwei, Cao Leituan, Wu Qiang, Chen Xi. 2014: Influence of HEMP pulse width on burnout effects of RS flip-flops, High Power Lase and Particle Beams, 26(5): 216-221. doi: 10.11884/HPLPB201426.053203
Citation: Mi Guohao, Du Zhengwei, Cao Leituan, Wu Qiang, Chen Xi. 2014: Influence of HEMP pulse width on burnout effects of RS flip-flops, High Power Lase and Particle Beams, 26(5): 216-221. doi: 10.11884/HPLPB201426.053203
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脉冲宽度对核电磁脉冲烧毁RS触发器效应的影响

  • 清华大学电子工程系,清华信息科学与技术国家实验室,北京100084

  • 北京宇航系统工程研究所,北京,100076

Influence of HEMP pulse width on burnout effects of RS flip-flops

  • 摘要: 利用实验室自主开发的二维半导体器件电路联合仿真器对RS触发器在核电磁脉冲注入下的烧毁情况进行研究,发现烧毁发生在RS触发器内n沟道增强型MOSFET栅极和漏极之间的沟道内.RS触发器烧毁的功率阈值随着脉冲宽度的增加而降低,当脉冲宽度大于80 ns后阈值变化很小.根据仿真结果,通过热传导方程对RS触发器的烧毁情况进行建模,得到了不同脉冲宽度核电磁脉冲注入下RS触发器烧毁功率阈值的理论模型,仿真结果证明了理论模型的正确性.
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出版历程
  • 刊出日期:  2014-05-30

脉冲宽度对核电磁脉冲烧毁RS触发器效应的影响

  • 清华大学电子工程系,清华信息科学与技术国家实验室,北京100084
  • 北京宇航系统工程研究所,北京,100076

摘要: 利用实验室自主开发的二维半导体器件电路联合仿真器对RS触发器在核电磁脉冲注入下的烧毁情况进行研究,发现烧毁发生在RS触发器内n沟道增强型MOSFET栅极和漏极之间的沟道内.RS触发器烧毁的功率阈值随着脉冲宽度的增加而降低,当脉冲宽度大于80 ns后阈值变化很小.根据仿真结果,通过热传导方程对RS触发器的烧毁情况进行建模,得到了不同脉冲宽度核电磁脉冲注入下RS触发器烧毁功率阈值的理论模型,仿真结果证明了理论模型的正确性.

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