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金属掺杂钨基合金阴极的二次电子发射系数研究

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漆世锴, 王小霞, 罗积润, 赵世柯, 李云, 赵青兰. 2014: 金属掺杂钨基合金阴极的二次电子发射系数研究, 强激光与粒子束, 26(12): 158-162. doi: 10.11884/HPLPB201426.123006
引用本文: 漆世锴, 王小霞, 罗积润, 赵世柯, 李云, 赵青兰. 2014: 金属掺杂钨基合金阴极的二次电子发射系数研究, 强激光与粒子束, 26(12): 158-162. doi: 10.11884/HPLPB201426.123006
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Qi Shikai, Wang Xiaoxia, Luo Jirun, Zhao Shike, Li Yun, Zhao Qinlan. 2014: Secondary electron emission coefficient of metal doping W-base alloy cathode, High Power Lase and Particle Beams, 26(12): 158-162. doi: 10.11884/HPLPB201426.123006
Citation: Qi Shikai, Wang Xiaoxia, Luo Jirun, Zhao Shike, Li Yun, Zhao Qinlan. 2014: Secondary electron emission coefficient of metal doping W-base alloy cathode, High Power Lase and Particle Beams, 26(12): 158-162. doi: 10.11884/HPLPB201426.123006
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金属掺杂钨基合金阴极的二次电子发射系数研究

  • 中国科学院电子学研究所,中国科学院高功率微波源与技术重点实验室,北京100190;中国科学院大学,北京100039

  • 中国科学院电子学研究所,中国科学院高功率微波源与技术重点实验室,北京100190

Secondary electron emission coefficient of metal doping W-base alloy cathode

  • 摘要: 实验中制备了W-Re,W-Sc,W-Zr,W-Y合金阴极,其中Re,Sc,Zr,Y元素所占合金阴极材料的质量分数都为5％.二次电子发射系数测试结果显示,Re掺杂合金阴极对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,掺杂5％Re的W-Re合金阴极材料具有最大二次电子发射系数,其值为1.8,相比于纯钨阴极,能够提高80％.鉴于Re对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,对Re掺杂质量分数分别为20％,10％,6％,5％,4％,3％W-Re合金阴极材料二次电子发射系数进行了研究,发现随着Re在W-Re合金阴极材料中含量的降低,其二次电子发射系数在不断增大,仅当Re含量下降至5％左右时,合金阴极具有最大二次电子发射系数,继续下降至4％,合金阴极二次电子发射系数不但没有升高,相反下降至1.41,当下降至3％时,合金阴极二次电子发射系数值迅速降低为1.1.
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出版历程
  • 刊出日期:  2014-12-30

金属掺杂钨基合金阴极的二次电子发射系数研究

  • 中国科学院电子学研究所,中国科学院高功率微波源与技术重点实验室,北京100190;中国科学院大学,北京100039
  • 中国科学院电子学研究所,中国科学院高功率微波源与技术重点实验室,北京100190

摘要: 实验中制备了W-Re,W-Sc,W-Zr,W-Y合金阴极,其中Re,Sc,Zr,Y元素所占合金阴极材料的质量分数都为5％.二次电子发射系数测试结果显示,Re掺杂合金阴极对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,掺杂5％Re的W-Re合金阴极材料具有最大二次电子发射系数,其值为1.8,相比于纯钨阴极,能够提高80％.鉴于Re对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,对Re掺杂质量分数分别为20％,10％,6％,5％,4％,3％W-Re合金阴极材料二次电子发射系数进行了研究,发现随着Re在W-Re合金阴极材料中含量的降低,其二次电子发射系数在不断增大,仅当Re含量下降至5％左右时,合金阴极具有最大二次电子发射系数,继续下降至4％,合金阴极二次电子发射系数不但没有升高,相反下降至1.41,当下降至3％时,合金阴极二次电子发射系数值迅速降低为1.1.

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