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X光二极管脉冲偏压施加技术

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侯立飞, 杜华冰, 崔延莉, 杨轶濛, 韦敏习, 易涛, 袁铮, 陈韬, 窦延娟. 2015: X光二极管脉冲偏压施加技术, 强激光与粒子束, 27(3): 166-169. doi: 10.11884/HPLPB201527.032020
引用本文: 侯立飞, 杜华冰, 崔延莉, 杨轶濛, 韦敏习, 易涛, 袁铮, 陈韬, 窦延娟. 2015: X光二极管脉冲偏压施加技术, 强激光与粒子束, 27(3): 166-169. doi: 10.11884/HPLPB201527.032020
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2015: Pulsed bias application on X-ray diodes, High Power Lase and Particle Beams, 27(3): 166-169. doi: 10.11884/HPLPB201527.032020
Citation: 2015: Pulsed bias application on X-ray diodes, High Power Lase and Particle Beams, 27(3): 166-169. doi: 10.11884/HPLPB201527.032020
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X光二极管脉冲偏压施加技术

  • 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川绵阳,621900

  • 中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳,621900

Pulsed bias application on X-ray diodes

  • 摘要: 为了满足充气腔实验对探测器安全性能的要求,开展了X光二极管的脉冲偏压施加技术的初步研究.在8 ps激光装置上,设计了一种新的基于信号发生器的同步方法,完成了X光二极管脉冲偏压加载工作方式的技术验证.脉冲偏压与直流偏压条件下,探测器上升时间与半高宽变化值不超过10％.脉冲偏压源主要指标确定为脉宽110μs,激光打靶零后2.11ms完成偏压卸载.
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出版历程
  • 刊出日期:  2015-03-30

X光二极管脉冲偏压施加技术

  • 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川绵阳,621900
  • 中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳,621900

摘要: 为了满足充气腔实验对探测器安全性能的要求,开展了X光二极管的脉冲偏压施加技术的初步研究.在8 ps激光装置上,设计了一种新的基于信号发生器的同步方法,完成了X光二极管脉冲偏压加载工作方式的技术验证.脉冲偏压与直流偏压条件下,探测器上升时间与半高宽变化值不超过10％.脉冲偏压源主要指标确定为脉宽110μs,激光打靶零后2.11ms完成偏压卸载.

English Abstract

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