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线阵CCD全饱和单侧拖尾特性分析

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周孟莲, 张震, 张检民, 蔡跃, 程德艳. 2015: 线阵CCD全饱和单侧拖尾特性分析, 强激光与粒子束, 27(4): 41-45. doi: 10.11884/HPLPB201527.041008
引用本文: 周孟莲, 张震, 张检民, 蔡跃, 程德艳. 2015: 线阵CCD全饱和单侧拖尾特性分析, 强激光与粒子束, 27(4): 41-45. doi: 10.11884/HPLPB201527.041008
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Zhou Menglian, Zhang Zhen, Zhang Jianmin, Cai Yue, Cheng Deyan. 2015: Characteristic analysis of entirely saturated unilateral smear in linear CCD, High Power Lase and Particle Beams, 27(4): 41-45. doi: 10.11884/HPLPB201527.041008
Citation: Zhou Menglian, Zhang Zhen, Zhang Jianmin, Cai Yue, Cheng Deyan. 2015: Characteristic analysis of entirely saturated unilateral smear in linear CCD, High Power Lase and Particle Beams, 27(4): 41-45. doi: 10.11884/HPLPB201527.041008
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线阵CCD全饱和单侧拖尾特性分析

  • 西北核技术研究所激光与物质相互作用国家重点实验室,西安,710024

Characteristic analysis of entirely saturated unilateral smear in linear CCD

  • 摘要: 在用532 nm连续激光辐照TCD-1200D型线阵CCD的过程中,发现了光斑的全饱和单侧拖尾现象.为了分析这种现象的特性,实验测量了拖尾长度随激光功率、CCD积分时间和CCD驱动频率的关系,发现拖尾长度随着激光功率和积分时间的增加而增加,但在一定范围内与CCD驱动频率无关.通过理论计算和实验数据分析拟合发现,拖尾长度和激光功率密度和积分时间的乘积有关,并根据激光辐照下CCD器件光生电荷量的产生过程,推导出了拖尾长度与CCD势阱光生电荷量的关系,得到了拖尾长度随光生电荷量的变化曲线,为全饱和单侧拖尾现象机理分析提供了数据支持.
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出版历程
  • 刊出日期:  2015-04-30

线阵CCD全饱和单侧拖尾特性分析

  • 西北核技术研究所激光与物质相互作用国家重点实验室,西安,710024

摘要: 在用532 nm连续激光辐照TCD-1200D型线阵CCD的过程中,发现了光斑的全饱和单侧拖尾现象.为了分析这种现象的特性,实验测量了拖尾长度随激光功率、CCD积分时间和CCD驱动频率的关系,发现拖尾长度随着激光功率和积分时间的增加而增加,但在一定范围内与CCD驱动频率无关.通过理论计算和实验数据分析拟合发现,拖尾长度和激光功率密度和积分时间的乘积有关,并根据激光辐照下CCD器件光生电荷量的产生过程,推导出了拖尾长度与CCD势阱光生电荷量的关系,得到了拖尾长度随光生电荷量的变化曲线,为全饱和单侧拖尾现象机理分析提供了数据支持.

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