基于 IGBT 的大功率 H 桥快控电源控制策略

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任青华, 王英翘, 姚列英. 2016: 基于 IGBT 的大功率 H 桥快控电源控制策略, 强激光与粒子束, 28(9): 095002. doi: 10.11884/HPLPB201628.151077
引用本文: 任青华, 王英翘, 姚列英. 2016: 基于 IGBT 的大功率 H 桥快控电源控制策略, 强激光与粒子束, 28(9): 095002. doi: 10.11884/HPLPB201628.151077
Ren Qinghua, Wang Yingqiao, Yao Lieying. 2016: Control strategy for high power H-bridge quick response power supply based on IGBT, High Power Lase and Particle Beams, 28(9): 095002. doi: 10.11884/HPLPB201628.151077
Citation: Ren Qinghua, Wang Yingqiao, Yao Lieying. 2016: Control strategy for high power H-bridge quick response power supply based on IGBT, High Power Lase and Particle Beams, 28(9): 095002. doi: 10.11884/HPLPB201628.151077

基于 IGBT 的大功率 H 桥快控电源控制策略

Control strategy for high power H-bridge quick response power supply based on IGBT

  • 摘要: 为了控制快速变化的等离子体垂直位移,研制了基于 IGBT 的大功率 H 桥快速可控电源,额定参数为±500 V/±3 kA。旧的快控电源由于结构以及控制策略的原因,导致 IGBT 关断过电压高、工作频率低、续流过程不可控产生的电压宽脉冲等问题。针对这些不足,新的 H 桥快速控制电源首先重新设计了电源的结构,使其更加紧凑,减小了电源的寄生电感,从而降低了 IGBT 的关断过电压。其次,通过改变电源的控制方式,电源的工作频率达到 IGBT 开关频率的2倍,增大了电源输出电压的频率,等效提高了电源的快速响应能力。同时,为电源重新设计了一种可控的续流方式,通过对 IGBT 的控制改变电路的续流回路,使续流过程可控。通过实验研究可知,电源的响应时间为125μs,在等离子体位移发生变化时电流能够快速响应,控制等离子体位移,保证托卡马克装置的正常放电,并且通过新的续流控制方式,使电源在续流时不会再出现续流不可控导致的宽电压脉冲问题,输出电压能够有效地跟踪给定电压值变化。
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出版历程
  • 刊出日期:  2016-09-30

基于 IGBT 的大功率 H 桥快控电源控制策略

  • 核工业西南物理研究院,成都,610225

摘要: 为了控制快速变化的等离子体垂直位移,研制了基于 IGBT 的大功率 H 桥快速可控电源,额定参数为±500 V/±3 kA。旧的快控电源由于结构以及控制策略的原因,导致 IGBT 关断过电压高、工作频率低、续流过程不可控产生的电压宽脉冲等问题。针对这些不足,新的 H 桥快速控制电源首先重新设计了电源的结构,使其更加紧凑,减小了电源的寄生电感,从而降低了 IGBT 的关断过电压。其次,通过改变电源的控制方式,电源的工作频率达到 IGBT 开关频率的2倍,增大了电源输出电压的频率,等效提高了电源的快速响应能力。同时,为电源重新设计了一种可控的续流方式,通过对 IGBT 的控制改变电路的续流回路,使续流过程可控。通过实验研究可知,电源的响应时间为125μs,在等离子体位移发生变化时电流能够快速响应,控制等离子体位移,保证托卡马克装置的正常放电,并且通过新的续流控制方式,使电源在续流时不会再出现续流不可控导致的宽电压脉冲问题,输出电压能够有效地跟踪给定电压值变化。

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