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强电磁干扰对达林顿管的损伤效应与机理

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王乾坤, 柴常春, 席晓文, 杨银堂. 2018: 强电磁干扰对达林顿管的损伤效应与机理, 强激光与粒子束, 30(8): 67-74. doi: 10.11884/HPLPB201830.170472
引用本文: 王乾坤, 柴常春, 席晓文, 杨银堂. 2018: 强电磁干扰对达林顿管的损伤效应与机理, 强激光与粒子束, 30(8): 67-74. doi: 10.11884/HPLPB201830.170472
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Wang Qiankun, Chai Changchun, Xi Xiaowen, Yang Yintang. 2018: Damage effect and mechanism of Darlington tubes caused by intense electromagnetic interference, High Power Lase and Particle Beams, 30(8): 67-74. doi: 10.11884/HPLPB201830.170472
Citation: Wang Qiankun, Chai Changchun, Xi Xiaowen, Yang Yintang. 2018: Damage effect and mechanism of Darlington tubes caused by intense electromagnetic interference, High Power Lase and Particle Beams, 30(8): 67-74. doi: 10.11884/HPLPB201830.170472
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强电磁干扰对达林顿管的损伤效应与机理

  • 西安电子科技大学 微电子学院,教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071

Damage effect and mechanism of Darlington tubes caused by intense electromagnetic interference

  • 摘要: 建立了PNP型达林顿管的二维电热模型,对处于有源放大区的达林顿管的集电极注入高功率微波(HPM)和强电磁脉冲(EMP)时的瞬态响应进行了仿真.结果表明:HPM注入下,器件内部的峰值温度呈周期性的"下降-上升",温度升高过程发生在信号的正半周,靠近达林顿管发射极的晶体管发射结边缘是最易毁伤处;EMP注入下,其损伤机理与HPM注入时的正半周时相似,器件内部峰值温度一直上升,易毁伤部位与HPM注入时相同.得到了损伤功率阈值和损伤能量阈值与损伤脉宽的关系,这两种干扰注入下的损伤能量阈值-脉宽关系和损伤功率阈值-脉宽关系公式相似,并且在相同脉宽下,HPM注入下的损伤能量阈值大于EMP注入下的损伤能量阈值.
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出版历程
  • 刊出日期:  2018-08-30

强电磁干扰对达林顿管的损伤效应与机理

  • 西安电子科技大学 微电子学院,教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071

摘要: 建立了PNP型达林顿管的二维电热模型,对处于有源放大区的达林顿管的集电极注入高功率微波(HPM)和强电磁脉冲(EMP)时的瞬态响应进行了仿真.结果表明:HPM注入下,器件内部的峰值温度呈周期性的"下降-上升",温度升高过程发生在信号的正半周,靠近达林顿管发射极的晶体管发射结边缘是最易毁伤处;EMP注入下,其损伤机理与HPM注入时的正半周时相似,器件内部峰值温度一直上升,易毁伤部位与HPM注入时相同.得到了损伤功率阈值和损伤能量阈值与损伤脉宽的关系,这两种干扰注入下的损伤能量阈值-脉宽关系和损伤功率阈值-脉宽关系公式相似,并且在相同脉宽下,HPM注入下的损伤能量阈值大于EMP注入下的损伤能量阈值.

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