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45nm MOSFET毫米波小信号等效电路模型参数提取技术

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李博, 王军. 2019: 45nm MOSFET毫米波小信号等效电路模型参数提取技术, 强激光与粒子束, 31(2): 67-74. doi: 10.11884/HPLPB201931.180374
引用本文: 李博, 王军. 2019: 45nm MOSFET毫米波小信号等效电路模型参数提取技术, 强激光与粒子束, 31(2): 67-74. doi: 10.11884/HPLPB201931.180374
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Li Bo, Wang Jun. 2019: Parameter extraction technique of millimeter wave small-signal equivalent circuit model of 45 nm MOSFET, High Power Lase and Particle Beams, 31(2): 67-74. doi: 10.11884/HPLPB201931.180374
Citation: Li Bo, Wang Jun. 2019: Parameter extraction technique of millimeter wave small-signal equivalent circuit model of 45 nm MOSFET, High Power Lase and Particle Beams, 31(2): 67-74. doi: 10.11884/HPLPB201931.180374
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45nm MOSFET毫米波小信号等效电路模型参数提取技术

  • 西南科技大学 信息工程学院,四川 绵阳,621010

Parameter extraction technique of millimeter wave small-signal equivalent circuit model of 45 nm MOSFET

  • 摘要: 为了有效地表征45 nm MOSFET毫米波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的建模方法.基于45 nm MOSFET的器件物理结构及其导纳参数分析,通过综合考虑器件的本征物理特性、管脚及测试寄生特性,提出了一种准静态近似的高频等效电路模型及其参数直接提取的高精度简化算法,以此来统一表征模型参数从强反型区到弱反型区的偏置依赖性,并使之在不同偏置条件下的特性表征具有良好的连续性,以便于移植到商业仿真设计自动化工具中.通过ADS2013仿真工具的散射参数模拟结果与测量数据的一致性比较,验证了所建模型的实用性及其参数提取算法的准确性,并表征了45 nm器件的偏置依赖性.
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出版历程
  • 刊出日期:  2019-01-01

45nm MOSFET毫米波小信号等效电路模型参数提取技术

  • 西南科技大学 信息工程学院,四川 绵阳,621010

摘要: 为了有效地表征45 nm MOSFET毫米波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的建模方法.基于45 nm MOSFET的器件物理结构及其导纳参数分析,通过综合考虑器件的本征物理特性、管脚及测试寄生特性,提出了一种准静态近似的高频等效电路模型及其参数直接提取的高精度简化算法,以此来统一表征模型参数从强反型区到弱反型区的偏置依赖性,并使之在不同偏置条件下的特性表征具有良好的连续性,以便于移植到商业仿真设计自动化工具中.通过ADS2013仿真工具的散射参数模拟结果与测量数据的一致性比较,验证了所建模型的实用性及其参数提取算法的准确性,并表征了45 nm器件的偏置依赖性.

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