-
在未来聚变反应堆设计中,采用了能承受高热负荷的金属钨(W)作为面向等离子体的材料。然而等离子体与壁之间的相互作用会不可避免地使W杂质进入到主等离子体。当等离子体中W杂质浓度超过一定程度后,会降低等离子体约束性能、稀释主离子密度,甚至引起等离子体破裂,危害装置安全。因此,有效控制等离子体W杂质含量是未来聚变堆稳定运行的必要前提之一。基于W杂质辐射的输运研究是为杂质控制提供物理基础的一种方法,当前聚变装置通常能够产生大约在10 keV量级的电子温度,只能将W电离到较低的价态,无法模拟未来聚变堆等离子体(Te~20~30 keV)的钨光谱。因此如何找到适用于未来聚变堆上W杂质行为研究的最佳原子谱线并进行谱线识别和实验验证是目前聚变等离子体领域关注的热点问题[1]。
电子束离子阱(Electron Beam Ion Trap,EBIT)是利用高能电子束与原子碰撞使原子外层电子不断被剥离从而产生高电荷态离子的实验装置,通过控制电子束和离子之间的相互作用,能够对离子的结构、性质及其与外部环境的相互作用等进行极其精细的研究[2-3]。现在广泛应用于原子和分子光谱学研究、核物理研究以及高能物理实验等领域[4-7]。鉴于此,中科院等离子体物理研究所跟复旦大学合作研制了一套中能段(能量范围在20~30 keV)紧凑型EBIT,可为未来聚变堆上高电荷态杂质离子光谱研究提供数据支持。
在EBIT装置中,漂移管阱区电子束和离子之间的作用需要在超高真空环境下实现,以避免背景残余气体对实验的影响[8]。因此,真空系统作为EBIT装置的辅助系统,对EBIT装置的工作性能起着至关重要的作用。低真空状态下电子束流、高电荷态离子与残留气体分子之间发生碰撞并使气体分子电离,不仅会导致离子束流质量下降,还会影响实验结果的精度和可靠性。此外,较低的真空度也会加速EBIT装置零件的磨损和氧化,降低其使用寿命,增加设备维护成本[9-10]。因此,EBIT中的超高真空环境对于实验的可重复性、准确性和稳定性非常重要,EBIT装置阱区需要长时间维持超高真空环境。此外,EBIT装置采用的低温超导磁体也需要较高真空来降低磁体与外界环境中的热传导率,以使得超导磁体能长期稳定工作在超导状态。因此稳定的超高真空环境对维持磁体超导状态和磁体安全同样至关重要。当前系统的真空数据和温度数据只能通过现场真空计和温度传感器读出,数据无法进行集中管理和监控,只能依靠笔记本或者电脑手动记录数据。同时,当系统设备出现故障或者实验人员误操作导致系统真空出现问题时,无法自动关闭真空阀门和真空泵。因此有必要研制一套稳定高效的真空控制系统以实现对中能段EBIT真空系统的远程控制、数据采集和联锁保护。
本文基于RS485总线结构和Python编程语言开发的中能段EBIT真空控制系统,利用一台工控机(IPC)作为主设备通过RS485总线与其他真空设备进行数据传输,同时基于Python编程语言编写可视化图形界面对真空系统进行集成控制。该系统主要包括以下三个模块:(1)远程控制模块:通过计算机远程控制真空设备,可以对中能段EBIT真空系统进行远程操作,提高了操作的便捷性和灵活性。(2)数据采集和处理模块:实现对中能段EBIT真空系统数据的采集、分析与处理,为实验提供数据支持。(3)系统联锁保护模块:通过连锁反应保证中能段EBIT装置处于安全状态,当系统出现故障能使其自动切换到安全状态下,实现了中能段EBIT装置的安全管理,确保人员和设备的安全。EBIT真空控制系统的难点在于如何实现真空度的精确控制、数据采集与处理的准确性、系统的安全性与稳定性、远程控制与可视化界面的便捷性以及系统设计与集成的复杂性。本文采用Python编程语言编写可视化图形界面,具有代码简洁易读、开发速度快、跨平台兼容性好、可定制性强和成本低等优势。本文第一部分介绍了EBIT装置真空系统总体布局,第二部分介绍了控制系统结构设计,第三部分介绍了控制系统软件流程和控制界面设计,第四部分介绍了系统测试结果,第五部分为本研究总结。
-
真空系统作为EBIT装置的重要组成部分,其设计要满足以下几点要求:(1)性能稳定可靠且故障率低,以确保真空系统能够实现长时间的稳定运行。(2)能够实现EBIT装置阱区达到10−8 Pa量级的超高真空状态,以保证电子束和目标离子相互碰撞时的稳定性和精确性。(3)优化系统的整体布局,系统要留有一定的接口和余地,合理安排装置各窗口方便后期对系统进行改造升级[11]。
基于以上原则,中能段EBIT真空系统由多个相对独立的真空室构成,真空系统总体布局如图1所示,真空系统主要包括四个部分:第一部分是电子束离子阱主体所在的内真空室。第二部分是制冷机冷头和超导磁体所在的外真空室。内外真空室之间通过圆形隔板进行真空隔绝,内外真空相互独立。此外还有差分微量气体注入系统真空单元以及各诊断系统构成的真空单元,以便于从X射线到可见光波段杂质谱线的观测。系统通过在圆形隔板上开设了多个观测窗口与外部各光谱仪平台以及差分微量气体注入系统进行连接,实现杂质元素的注入以及光谱观察,并通过真空阀门与内真空室进行隔绝。
由于离子泵工作时会产生干扰磁场,这个干扰磁场会影响紧凑型EBIT本身磁场,所以在本系统中未使用离子泵。为了获得所需的超高真空环境,参照上海SH-PermEBIT和SH-HtscEBIT超高真空腔体的设计经验[12],本系统采用两套复合分子泵组对内真空腔室进行抽气,选择的是抽速为650 L·S−1国产的久泰JTFB-650ZF脂润滑复合分子泵,对于超导磁体所在的外真空室用一套分子泵机组即可满足要求,并通过6组普发PKR361全量程真空规管测量各点的真空度,测量范围10−7 ~ 105 Pa。由于内真空室中心阱区的测量规管是安装在观测窗口上的,所以实际上规管测量处的真空度要比中心阱区低,当规管测得真空为10−7 Pa时,中心阱区极限真空可达10−8 Pa量级,事实上当真空度高于4×10−7 Pa时就达到了产生高电荷态离子的实验条件[13]。中能段EBIT系统配备的弯晶谱仪(XCS)、极紫外光谱仪(EUV spectrometer)、真空紫外光谱仪(VUV spectrometer)和可见光光谱仪(Visible light spectrometer)的观测波段分别覆盖0.2~0.4 nm、1~50 nm、30~360 nm和300~700 nm。中能段EBIT真空系统的各真空设备和数量如表1所示。
为了保障中能段EBIT系统的正常运行,真空控制系统需要满足以下要求:(1)实现对中能段EBIT装置各点真空度的实时监测与显示,并且能够实时保存装置运行过程中的真空数据,以便实验人员后期进行故障排查和处理。(2)实现对各真空设备的远程控制,包括启动停止分子泵和机械泵以及各个真空阀门的开合控制。(3)实现系统联锁开发,当真空系统出现故障或误操作导致真空度低于正常工作范围时,系统能够发出报警信号并迅速自动关闭各真空阀门和分子泵,最大限度降低突发故障带来的不良后果,保护实验人员和设备的安全[14]。(4)实现对超导磁体温度的监控,由于超导磁体对温度变化十分敏感,当温度超过超导的临界温度磁体会失超,所以有必要在实验过程中监控超导磁体温度变化情况。
-
中能段EBIT真空控制系统实现了装置各真空单元真空集成控制与实时检测,根据不同的实验需求控制相应的真空阀门和真空泵组动作,同时要进行联锁开发实现装置安全联锁功能。为了实现可靠的数据传输,本系统采用RS485总线结构。RS485总线结构是一种串行通信总线,它包含一个主设备和最多128个从设备,数据通过总线在节点之间传输,不同节点之间通过不同的地址进行区分,通讯数据可以被所有节点共享,达到快速传输的目的。RS485总线结构在工业环境中具有很高的鲁棒性,能够抵抗电磁干扰、噪声等问题。同时,它的通信距离可以长达数千米,具有广阔的应用范围[15-16]。
控制系统的结构如图2所示,由一台工控机(IPC)作为主设备通过485总线来控制其他真空设备,同时对超导磁体的温度进行实时监测,为了了解系统温度变化情况,本研究用了5路传感器分别监测冷屏、磁体上下端以及电流引线上下端的温度,制冷机一级冷头和冷屏直接连接,二级冷头通过导冷结构与磁体连接,超导磁体系统结构示意图如图3所示。由于温度传感器只提供了RS232通讯接口,所以温度传感器通过串口线直接和IPC通信。
真空获得设备主要包括3台复合分子泵和3台机械泵,每台分子泵拥有独立的电源控制器(CMP controller),提供了RS485通讯接口,机械泵没有独立的控制器,本文采用带有RS485通讯接口的继电器控制器(Relay controller)进行控制,此外为了方便对真空阀门进行控制以及实现真空系统的联锁开发,真空阀门也通过继电器控制器进行控制。将所有的真空设备的控制器挂载到RS485总线上,并给每个节点分配唯一的地址,IPC经过RS485/232转换器(RS485/RS232 converter)即可通过地址号对指定的真空设备进行远程控制,设备间通讯协议采用Modbus协议。
真空测量设备主要由6只复合真空规管和控制器(Gauge controllers)组成。真空规管通过电缆与控制器连接,真空规管实时检测各点真空并把测得的数据发送给控制器,控制器通过RS485通讯接口挂载在RS485总线上,当IPC通过总线向控制器发送读取真空的指令时,控制器通过总线把系统真空值发送给IPC,IPC通过上位机程序对真空数据进行处理,如此便实现了系统真空度的读取。
-
系统软件部分采用Python编程语言进行编写。PyQt是Python编程语言的图形用户界面(Graphical User Interface,GUI)开发工具包,使用Qt软件库来实现。它可以帮助开发人员使用Python语言来轻松创建桌面应用程序,由于Qt本身已经是一个跨平台的GUI工具包,因此使用PyQt也可以方便地实现跨平台的应用程序开发[17]。
本系统的操作界面使用PyQt工具包进行创建,具体流程包括以下两个步骤:首先利用Qt Designer或PyQt自带的Qt Creator设计UI界面,将所需的部件布置到主窗口上,例如按钮、标签、文本框等,并设置其属性和布局。其次是编写主程序,在主程序中编写完整的业务逻辑代码实现真空数据读取与显示,开关分子泵和真空阀以及系统联锁保护等功能。
信号与槽机制(Signal and Slot)是Qt框架中一种常见的事件处理机制,通过信号和槽实现组件之间的通信,当一个对象发出信号时,槽函数会自动被执行,完成相关操作。在这种机制下,可以方便的完成开关分子泵和真空阀门的操作,例如把点击分子泵的启动按钮作为一个信号发送出去,那么与之关联的槽函数将会被自动的调用,所以只需要在槽函数中编写启动分子泵的业务逻辑代码,当点击启动按钮时系统就会自动完成启动分子泵的操作。这种机制使应用程序中各个部分之间可以解耦合,从而实现更加灵活、高效、可维护的代码的设计[18]。
系统软件的主程序工作流程如图4所示。利用Python的多线程技术同时读取各点真空度以及磁体温度值,从而提高程序的效率和并发性。通过串口向真空设备发送读取数据的指令,然后比较回读的真空度是否低于正常工作范围,如果低于正常范围则采取必要的联锁措施,发出报警信号并关闭所有的真空阀门和分子泵。同时系统还考虑了采样时间的设定,利用Python的定时器功能绑定数据保存事件,只有当定时器溢出的时候才把数据保存为文件,这样方便实验人员灵活选取采样时间。
系统的数据采集和显示界面如图5所示。它的主要功能包括:
(1)真空设备的远程控制。当启动主程序打开系统界面之后,就可以点击启动停止按钮来远程控制真空泵组和真空阀门的开启和关闭。
(2)真空数据和温度数据实时采集和显示。开启多线程持续向各真空规管和温度传感器访问数据,各线程之间相互独立,互不干扰,能同时获取多路真空数据和温度数据并实时显示在窗口界面上,在右下角同时显示内真空腔室和注气系统的真空曲线,能够更加直观的掌握真空的变化趋势,当通过差分气体注入系统向阱区注入Ar、Kr、Xe等稀有气体时,通过观察系统真空的实时变化可以估算出注入的气体量,方便通过调节注气阀门以控制目标气体的注入量。
(3)自动保存数据并生成历史曲线。为了了解整轮实验或者某一段时间内真空的整体变化趋势,或者在系统故障时为实验人员提供分析依据,系统还应自动把真空数据保存到文件里面并存储在指定的系统目录下面,生成历史曲线,形象直观的反映出系统运行的历史趋势。
(4)实现系统安全联锁。系统界面上的指示灯会以不同颜色实时显示各个真空阀门和真空泵的工作状态,能更加直观地掌握各真空设备的运行状态,同时可以通过设定真空阈值,当真空度低于真空阈值时产生报警信号,并关闭各真空阀门和分子泵,保护装置和实验人员的安全。
-
根据系统的布局完成中能段EBIT真空系统的安装,连接好各设备的电源电缆线并挂载到RS485总线网络上,由IPC作为主设备,其余的真空设备作为从设备,为每个设备分配唯一的地址,开始进行测试。真空系统测试平台如图6所示。
首先打开真空控制系统操作界面,先后打开机械泵和真空阀门,从真空实时显示界面可以看到系统的真空慢慢降低,当真空显示界面显示真空度优于1 Pa时,点击分子泵启动按钮打开各分子泵对中能段EBIT真空系统进行抽气,系统真空迅速下降。经过大约5天的抽真空时间,系统的真空度达到7.6×10−6 Pa,设定系统真空联锁阈值为1×10−4 Pa,打开微量气体注入系统的阀门向离子阱区注入少量Ar,观测到系统真空迅速上升,图7表示的是注入Ar前后一段时间内真空的变化趋势。
图8表示的是系统内真空超过真空阈值时系统变化情况,如图可知当持续向离子阱区注入Ar,当系统真空度低于1×10−4 Pa时,联锁系统触发关闭了所有的真空阀门和分子泵,真空控制界面上的真空指示灯亮红灯,提醒实验人员真空出现异常。整个测试过程中磁体的温度变化趋势如图9所示。制冷机开机以后经过20个小时制冷,磁体温度降到6.5 K并保持稳定,超导的临界温度为9 K,说明磁体已进入并可以保持超导状态。
-
为了实现中能段EBIT实验平台各真空单元真空度地实时监测与控制,为中能段EBIT装置营造稳定可靠的超高真空的实验环境,本文基于RS485总线结构和Python编程语言设计的中能段EBIT真空控制系统,实现了各单元真空数据的实时采集显示,真空设备的远程控制和系统真空联锁保护功能。系统采用集成控制方式方便对多个真空设备的监控和管理,极大地改善了系统工作效率,提高了数据的可靠性。经过系统测试,真空系统可以长期稳定的运行,磁体温度和各测量点的真空均满足实验要求,系统具有完备的联锁保护功能,可以保障人员和设备的安全,缩短了故障恢复时间,提高了工作效率,增强了整套系统的可靠性。在测试及实验过程中,真空获得设备和真空测量设备均稳定可靠无故障,这表明真空控制系统能够长时间稳定工作。
中能段电子束离子阱真空控制系统研制
Development of a Vacuum Control System for Intermediate-Energy Electron Beam Ion Trap
-
摘要: 电子束离子阱(Electron Beam Ion Trap,EBIT)是一种用于研究高电离态离子物理过程的实验装置。中能段紧凑型EBIT实验平台能够产生30 keV的电子束能量,电子束流达到20 mA,对于研究未来聚变堆杂质离子输运行为研究具有重要意义。为了产生单一高电荷态离子,中能段EBIT装置阱区需要工作在超高真空(10−8 Pa)环境下。低温超导磁体需工作在10−5 Pa真空环境下以维持超导状态,因此真空度直接影响着中能段EBIT的工作性能,有必要研制一套稳定高效的真空控制系统以提升中能段EBIT装置稳定性与可靠性。文章基于RS485总线结构和Python编程语言开发了一套中能段EBIT真空控制系统,实现了对中能段EBIT真空系统的远程控制、数据采集和系统联锁保护。可为中能段EBIT装置提供稳定可靠的超高真空的实验环境,对中能段EBIT装置的稳态运行具有重要意义。Abstract: The Electron Beam Ion Trap (EBIT) is an experimental device used to study the physics of highly ionized ions. The intermediate-energy compact EBIT experimental platform can generate an electron beam energy of 30 keV with an electron beam current of up to 20 mA. It is of great importance to study the impurity spectra in future fusion reactors. To produce a single high charge state ion, the trapping area of the intermediate energy EBIT device needs to be kept under an ultra-high vacuum (10−8 Pa) condition. Besides, the low-temperature superconducting magnet also needs to operate under a vacuum environment of 10−5 Pa to maintain a sufficiently high heat resistance. Therefore, the vacuum condition directly affects the performance of the intermediate energy EBIT device. It is necessary to develop a stable and efficient vacuum control system to improve the stability and reliability of the device. In this study, an intermediate energy EBIT vacuum control system is developed on the basis of the RS485 bus structure and the Python programming language, which realizes remote control, data acquisition, and interlock protection for the EBIT vacuum system. Currently, this vacuum control system has been running reliably on the intermediate energy EBIT system for several months. The development of the vacuum control system for the EBIT can meet experimental requirements, providing a reliable ultra-high vacuum experimental environment for the intermediate energy EBIT system. This study is of great significance for the steady-state operation of the intermediate energy EBIT system.
-
Key words:
- Electron beam ion trap /
- Vacuum control system /
- RS485 /
- Python .
-
-
表 1 中能段EBIT装置主要真空设备统计
Table 1. Major devices of the intermediate energy EBIT vacuum system
设备名称
Denominations of device设备数量
Number of devices复合分子泵
Composite Molecular Pump3 机械泵Mechanical Pump 3 复合真空规管
Composite Vacuum Gauge6 阀门Gate Valve 7 玻璃观察窗Glass view port 1 -
[1] 宾斌, 张洪明, 杨洋, 等. 基于中能段电子束离子阱的杂质光谱研究平台的概念设计[J]. 核技术,2021,44(03):16−22(in chinese) Bin B, Zhang H M, Yang Y, et al. Conceptual design of impurity spectrum research platform based on intermediate energy electron beam ion trap[J]. Nuclear Techniques,2021,44(03):16−22 [2] Levine M A, Marrs R E, Henderson J R, et al. The electron beam ion trap: a new instrument for atomic physics measurements[J]. Physica Scripta,1988,T22:157−163 doi: 10.1088/0031-8949/1988/T22/024 [3] Steven R E. Studies of highly charged ions with EBIT and super-EBIT[J]. Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B,1995,98(1):114−121 [4] Utter S B, Beiersdorfer P, Träbert E. Electron-beam ion-trap spectra of tungsten in the EUV[J]. Canadian Journal of Physics,2002,80(12):1503−1515 doi: 10.1139/p02-132 [5] Knapp, Beiersdorfer, Chen, et al. Observation of interference between dielectronic recombination and radiative recombination in highly charged uranium ions.[J]. Physical review letters,1995,74(1):54−57 doi: 10.1103/PhysRevLett.74.54 [6] Neill P, Harris C, Safronova A S, et al. The study of X-ray M-shell spectra of W ions from the Lawrence Livermore National Laboratory Electron Beam Ion Trap[J]. Canadian Journal of Physics,2004,82(11):1503−1515 [7] Li W X, Shi Z, Yang Y, et al. Tungsten spectroscopy in the EUV range observed at a high-temperature superconducting electron-beam ion trap[J]. Physical Review A,2015,91(6):62501 doi: 10.1103/PhysRevA.91.062501 [8] 路迪. 上海EBIT装置优化改造[D]. 上海: 复旦大学, 2013(in chinese) Lu D. Optimization and renovation of Shanghai EBIT[D]. Shanghai: Fudan University, 2013 [9] Frederick J C, Junji A, Koichi I, et al. A new versatile electron-beam ion trap[J]. Journal of the Physical Society of Japan,1996,65(10):3186−3192 doi: 10.1143/JPSJ.65.3186 [10] Congretel G, Rouvière N, Visentin B. Ultra high vacuum technology applied for the design of warm EBIS or EBIT ion sources[J]. Vacuum,1995,46(8):777−780 [11] 李小平, 彭晓华, 张铜, 等. GaAs光阴极制备装置的超高真空系统研制[J]. 真空科学与技术学报,2014,34(11):1155−1159(in chinese) Li X P, Peng X H, Zhang T, et al. Lab-Built reactor for fabrication of 500 kV Ga As photocathode used in DC electron gun of energy recovery linac[J]. Chinese Journal of Vacuum Science and Technology,2014,34(11):1155−1159 [12] 肖君. 基于EBIT光谱学研究手段建设及超低能EBIT的研制[D]. 上海: 复旦大学, 2011 Xiao J. Construction of research methods based on EBIT spectroscopy and development of ultra-low energy EBIT[D]. Shanghai: Fudan University, 2011 [13] 宾斌. 中能段电子束离子阱杂质光谱研究平台研制[D]. 合肥: 中国科学技术大学, 2022 Bin B. Development of a platform forthe study of impurity spectrum based on medium energyelectron beam ion trap[D]. Hifei: University of Science and Technology of China, 2022 [14] 安双利, 蒋迪奎, 郭盘林. 上海电子束离子阱装置真空控制系统[J]. 核技术,2007,30(2):109−113(in chinese) An S L, Jiang D K, Guo P L. Vacuum control system for the Shanghai Electron Beam lon Trap Facility[J]. Nuclear Techniques,2007,30(2):109−113 [15] Wang F D, Wang Z F, Chang K, et al. New Multifunctional Industrial Wireless Network Adapter[J]. Energy Procedia,2017,118:95−103 doi: 10.1016/j.egypro.2017.07.019 [16] 陈航, 严帅, 刘胜, 等. 基于RS485总线的分布式高精度数据采集系统[J]. 仪表技术与传感器,2021(2):71−74,79(in chinese) Chen H, Yan S, Liu S, et al. Distributed high-precision data acquisition system based on RS485 bus[J]. Instrument Technique and Sensor,2021(2):71−74,79 [17] 吴春波, 陈伟, 赵振华, 等. 基于PyQt的SHPB试验数据处理程序开发[J]. 计算机应用与软件,2021,38(12):11−13,80(in chinese) Wu C B, Chen W, Zhao Z H, et al. Development of SHPB experimental data processing program based on PyQt[J]. Computer Applications and Software,2021,38(12):11−13,80 [18] 金繁, 崔培雷. 嵌入式Qt中信号与槽机制的研究[J]. 电子设计工程,2014,22(24):168−170(in chinese) Jin F, Cui P L. Study on the signal and slot mechanism in embedded Qt[J]. Electronic Design Engineering,2014,22(24):168−170 -