宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题

陈光华; 邵乐喜; 贺德衍; 刘小平

doi:10.3321/j.issn:0379-4148.2000.05.005

物理

宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题

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陈光华, 邵乐喜, 贺德衍, 刘小平. 2000: 宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题, 物理, 29(5): 278-282. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2000.05.005

引用本文:

陈光华, 邵乐喜, 贺德衍, 刘小平. 2000: 宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题, 物理, 29(5): 278-282. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2000.05.005

CHEN Guang-Hua, SHAO Le-Xi, HE De-Yan, LIU Xiao-Ping. 2000: THE BACKGROUND, CURRENT STATUS AND QUESTIONS CONCERNING ELECTRON FIELD EMISSION FROM WIDE BANDGAP FILMS, Physics, 29(5): 278-282. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2000.05.005

Citation:

CHEN Guang-Hua, SHAO Le-Xi, HE De-Yan, LIU Xiao-Ping. 2000: THE BACKGROUND, CURRENT STATUS AND QUESTIONS CONCERNING ELECTRON FIELD EMISSION FROM WIDE BANDGAP FILMS, Physics, 29(5): 278-282. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2000.05.005

宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题

北京工业大学应用物理系,北京,100022
兰州大学物理系,兰州,730000
湛江师范学院物理系,湛江,524048

THE BACKGROUND, CURRENT STATUS AND QUESTIONS CONCERNING ELECTRON FIELD EMISSION FROM WIDE BANDGAP FILMS

摘要: 介绍了以金刚石为代表的宽带隙薄膜材料场电子发射研究背景和现状,对金刚石、类金刚石(DLC)、立方氮化硼(c-BN)、氮化铝(AlN)和碳化硅(SiC)薄膜场电子发射研究的进展进行了评述,着重介绍了发射性能与薄膜的结构特征、杂质含量和处理方法间的关系,并讨论了研究中存在的问题.
- 场电子发射 /
- 宽度隙薄膜材料