金属-氧化物界面在磁隧道结中的作用

物理

金属-氧化物界面在磁隧道结中的作用

徐明. 2000: 金属-氧化物界面在磁隧道结中的作用, 物理, 29(5): 316-317. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2000.05.015

引用本文:

徐明. 2000: 金属-氧化物界面在磁隧道结中的作用, 物理, 29(5): 316-317. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2000.05.015

XU Ming. 2000: Role of the Metal-oxide Interface in Magnetic Tunnel Junctions, Physics, 29(5): 316-317. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2000.05.015

Citation:

XU Ming. 2000: Role of the Metal-oxide Interface in Magnetic Tunnel Junctions, Physics, 29(5): 316-317. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2000.05.015

Role of the Metal-oxide Interface in Magnetic Tunnel Junctions

摘要: 磁隧道结通常是指由两层磁性金属和它们所夹的一层氧化物绝缘层(Ⅰ)所组成的三明治结构.通过绝缘层势垒的隧穿电子是自旋极化的,这种自旋极化能够反映作为电极的铁磁金属费米能级处态密度(DOS)的变化.起源于自旋极化的隧道磁阻(TMR)效应已成为当代磁学的一个研究热点.
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- 磁学