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半导体量子器件物理讲座第三讲异质结双极晶体管(HBT)

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王良臣. 2001: 半导体量子器件物理讲座第三讲异质结双极晶体管(HBT), 物理, 30(6): 372-379. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.06.009
引用本文: 王良臣. 2001: 半导体量子器件物理讲座第三讲异质结双极晶体管(HBT), 物理, 30(6): 372-379. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.06.009
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2001: HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS, Physics, 30(6): 372-379. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.06.009
Citation: 2001: HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS, Physics, 30(6): 372-379. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.06.009
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半导体量子器件物理讲座第三讲异质结双极晶体管(HBT)

  • 中国科学院半导体研究所

    • 通讯作者: 王良臣

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS

    Corresponding author:

  • 摘要: 文章首先给出了同质结双极晶体管和异质结双极晶体管(HBT)在材料结构参数上的差异.这种差异表明,在器件的材料结构设计上已从掺杂设计步入到了能带工程设计.和同质结双极晶体管相比,HBT具有更优越的性能.接着介绍了HBT的工作原理、典型的材料结构及器件的制作.
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出版历程
  • 刊出日期:  2001-06-12

半导体量子器件物理讲座第三讲异质结双极晶体管(HBT)

    通讯作者: 王良臣
  • 中国科学院半导体研究所

摘要: 文章首先给出了同质结双极晶体管和异质结双极晶体管(HBT)在材料结构参数上的差异.这种差异表明,在器件的材料结构设计上已从掺杂设计步入到了能带工程设计.和同质结双极晶体管相比,HBT具有更优越的性能.接着介绍了HBT的工作原理、典型的材料结构及器件的制作.

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