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半导体量子器件物理讲座第四讲共振隧穿器件及其电路应用

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李国华. 2001: 半导体量子器件物理讲座第四讲共振隧穿器件及其电路应用, 物理, 30(7): 436-440. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.07.009
引用本文: 李国华. 2001: 半导体量子器件物理讲座第四讲共振隧穿器件及其电路应用, 物理, 30(7): 436-440. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.07.009
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2001: RESONANT TUNNELING DEVICES AND THEIR CIRCUIT APPLICATIONS, Physics, 30(7): 436-440. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.07.009
Citation: 2001: RESONANT TUNNELING DEVICES AND THEIR CIRCUIT APPLICATIONS, Physics, 30(7): 436-440. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.07.009
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半导体量子器件物理讲座第四讲共振隧穿器件及其电路应用

  • 中国科学院

    • 通讯作者: 李国华

RESONANT TUNNELING DEVICES AND THEIR CIRCUIT APPLICATIONS

    Corresponding author:

  • 摘要: 当一个电子的能量低于势垒高度时,它仍可以隧穿通过势垒.在一定条件下,双势垒结构中电子的隧穿几率甚至可以接近1.利用这种共振隧穿现象可以做成共振隧穿二极管,它的电流-电压特性曲线中会出现负微分电阻.利用这种负阻效应可以做成高频振荡器和倍频器等电子器件.双势垒结构与通常的双极晶体管结合可以做成共振隧穿双极晶体管,它们可以用来做成多态记忆器和模数转换器等器件.
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出版历程
  • 刊出日期:  2001-07-12

半导体量子器件物理讲座第四讲共振隧穿器件及其电路应用

    通讯作者: 李国华
  • 中国科学院

摘要: 当一个电子的能量低于势垒高度时,它仍可以隧穿通过势垒.在一定条件下,双势垒结构中电子的隧穿几率甚至可以接近1.利用这种共振隧穿现象可以做成共振隧穿二极管,它的电流-电压特性曲线中会出现负微分电阻.利用这种负阻效应可以做成高频振荡器和倍频器等电子器件.双势垒结构与通常的双极晶体管结合可以做成共振隧穿双极晶体管,它们可以用来做成多态记忆器和模数转换器等器件.

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