惯性约束聚变实验用平面薄膜的制备及其表面图形的引入

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周斌, 王珏, 沈军, 徐平, 吴广明, 邓忠生, 孙骐, 艾琳, 陈玲燕, 韩明, 熊斌, 王跃林. 2001: 惯性约束聚变实验用平面薄膜的制备及其表面图形的引入, 物理, 30(11): 707-711. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.11.010
引用本文: 周斌, 王珏, 沈军, 徐平, 吴广明, 邓忠生, 孙骐, 艾琳, 陈玲燕, 韩明, 熊斌, 王跃林. 2001: 惯性约束聚变实验用平面薄膜的制备及其表面图形的引入, 物理, 30(11): 707-711. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.11.010
2001: PREPARATION OF THIN FOILS AND PATTERN TRANSFER IN INERTIAL CONFINEMENT FUSION EXPERIMENTS, Physics, 30(11): 707-711. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.11.010
Citation: 2001: PREPARATION OF THIN FOILS AND PATTERN TRANSFER IN INERTIAL CONFINEMENT FUSION EXPERIMENTS, Physics, 30(11): 707-711. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.11.010

惯性约束聚变实验用平面薄膜的制备及其表面图形的引入

PREPARATION OF THIN FOILS AND PATTERN TRANSFER IN INERTIAL CONFINEMENT FUSION EXPERIMENTS

  • 摘要: 平面薄膜是ICF分解实验的重要靶型.以半导体技术结合重掺杂自截止腐蚀制备厚度为3-4μm的Si平面薄膜,以热蒸发结合脱膜工艺制备AI平面薄膜,两者的表面粗糙度分别为30nm和10nm左右;进一步采用离子束刻蚀在平面薄膜的表面引入网格或条状图形,获得测量成像系统像传递函数的刻蚀膜,控制离子束刻蚀工艺的参数以实现图形的精确转移.
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出版历程
  • 刊出日期:  2001-11-12

惯性约束聚变实验用平面薄膜的制备及其表面图形的引入

  • 同济大学波耳固体物理研究所,
  • 中国科学院

摘要: 平面薄膜是ICF分解实验的重要靶型.以半导体技术结合重掺杂自截止腐蚀制备厚度为3-4μm的Si平面薄膜,以热蒸发结合脱膜工艺制备AI平面薄膜,两者的表面粗糙度分别为30nm和10nm左右;进一步采用离子束刻蚀在平面薄膜的表面引入网格或条状图形,获得测量成像系统像传递函数的刻蚀膜,控制离子束刻蚀工艺的参数以实现图形的精确转移.

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