半导体量子器件物理讲座第六讲半导体量子阱激光器

物理

余金中, 王杏华. 2001: 半导体量子器件物理讲座第六讲半导体量子阱激光器, 物理, 30(11): 717-723. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.11.012

引用本文:

余金中, 王杏华. 2001: 半导体量子器件物理讲座第六讲半导体量子阱激光器, 物理, 30(11): 717-723. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.11.012

2001: SEMICONDUCTOR QUANTUM WELL LASER DIODES, Physics, 30(11): 717-723. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.11.012

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2001: SEMICONDUCTOR QUANTUM WELL LASER DIODES, Physics, 30(11): 717-723. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.11.012

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELL LASER DIODES

摘要: 量子阱结构是半导体光电子器件的核心组成部分,它是半导体光电子集成的重要基础.文章在描述了量子结构的态密度、量子尺寸效应、粒子数反转的基础上,介绍了量子阱导质结构激光器的工作原理、器件结构、器件性能.并对其在可见光激光器和大功率激光器件中显现出来的优越性作了进一步的说明.
- 异质结 /
- 量子阱 /
- 激光二极管 /
- 半导体光电子学 /
- 光电集成