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新型半导体激光器--ZnO紫外激光器

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张德恒, 王卿璞. 2001: 新型半导体激光器--ZnO紫外激光器, 物理, 30(12): 741-744. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.12.002
引用本文: 张德恒, 王卿璞. 2001: 新型半导体激光器--ZnO紫外激光器, 物理, 30(12): 741-744. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.12.002
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2001: A TYPE OF NEW LASER ZnO UV LASER, Physics, 30(12): 741-744. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.12.002
Citation: 2001: A TYPE OF NEW LASER ZnO UV LASER, Physics, 30(12): 741-744. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.12.002
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新型半导体激光器--ZnO紫外激光器

  • 山东大学物理系,

A TYPE OF NEW LASER ZnO UV LASER

  • 摘要: 最近人们发现在室温下ZnO薄膜能产生强烈的光受激辐射,这表明此种材料可用于制造紫外光半导体激光器,此种激光器在光信息存贮上有广泛应用.文章介绍了最近几年来用不同方法制备的ZnO薄膜的光受激辐射的研究进展.
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出版历程
  • 刊出日期:  2001-12-12

新型半导体激光器--ZnO紫外激光器

  • 山东大学物理系,

摘要: 最近人们发现在室温下ZnO薄膜能产生强烈的光受激辐射,这表明此种材料可用于制造紫外光半导体激光器,此种激光器在光信息存贮上有广泛应用.文章介绍了最近几年来用不同方法制备的ZnO薄膜的光受激辐射的研究进展.

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