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超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅰ) --Cu互连和金属化

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刘洪图, 吴自勤. 2001: 超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅰ) --Cu互连和金属化, 物理, 30(12): 757-761. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.12.005
引用本文: 刘洪图, 吴自勤. 2001: 超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅰ) --Cu互连和金属化, 物理, 30(12): 757-761. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.12.005
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2001: SOME ISSUES OF THE MATERIAL PHYSICS FOR ULTRA LARGE SCALE INTEGRATION--Cu INTERCONNECT & MATELLIZATION( Ⅰ ), Physics, 30(12): 757-761. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.12.005
Citation: 2001: SOME ISSUES OF THE MATERIAL PHYSICS FOR ULTRA LARGE SCALE INTEGRATION--Cu INTERCONNECT & MATELLIZATION( Ⅰ ), Physics, 30(12): 757-761. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.12.005
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超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅰ) --Cu互连和金属化

  • 中国科学技术大学物理系,

  • 中国科学技术大学天文和应用物理系,

SOME ISSUES OF THE MATERIAL PHYSICS FOR ULTRA LARGE SCALE INTEGRATION--Cu INTERCONNECT & MATELLIZATION( Ⅰ )

  • 摘要: 21世纪初,超大规模集成电路(ULSI)的特征尺寸将由150hm逐代缩至50nm.文章以100nmULSI器件为主,简要介绍与互连相关的一些材料物理问题,其中包括Cu互连、金属化及低介电常数介质.
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出版历程
  • 刊出日期:  2001-12-12

超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅰ) --Cu互连和金属化

  • 中国科学技术大学物理系,
  • 中国科学技术大学天文和应用物理系,

摘要: 21世纪初,超大规模集成电路(ULSI)的特征尺寸将由150hm逐代缩至50nm.文章以100nmULSI器件为主,简要介绍与互连相关的一些材料物理问题,其中包括Cu互连、金属化及低介电常数介质.

English Abstract

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