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一种新的半导体材料和器件结构:COS

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阎志军, 王迅. 2002: 一种新的半导体材料和器件结构:COS, 物理, 31(11): 702-707. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2002.11.003
引用本文: 阎志军, 王迅. 2002: 一种新的半导体材料和器件结构:COS, 物理, 31(11): 702-707. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2002.11.003
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2002: CRYSTALLINE OXIDES ON SEMICONDUCTOR A NOVEL SEMICONDUCTOR MATERIAL AND DEVICE STRUCTURE, Physics, 31(11): 702-707. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2002.11.003
Citation: 2002: CRYSTALLINE OXIDES ON SEMICONDUCTOR A NOVEL SEMICONDUCTOR MATERIAL AND DEVICE STRUCTURE, Physics, 31(11): 702-707. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2002.11.003
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一种新的半导体材料和器件结构:COS

  • 兰州大学物理系,兰州,730000;复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433

  • 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433

CRYSTALLINE OXIDES ON SEMICONDUCTOR A NOVEL SEMICONDUCTOR MATERIAL AND DEVICE STRUCTURE

  • 摘要: 国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到0.1μm以下,SiO2作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难.人们在寻找新的栅介质材料时,提出了一种新的结构,称为半导体上的晶态氧化物(COS).最近,COS被用作Si衬底上生长GaAs的过渡层,成为半导体材料和器件发展中一项新的突破.文章对这一结构的进展情况做一简要介绍.
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-11-12

一种新的半导体材料和器件结构:COS

  • 兰州大学物理系,兰州,730000;复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433
  • 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433

摘要: 国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到0.1μm以下,SiO2作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难.人们在寻找新的栅介质材料时,提出了一种新的结构,称为半导体上的晶态氧化物(COS).最近,COS被用作Si衬底上生长GaAs的过渡层,成为半导体材料和器件发展中一项新的突破.文章对这一结构的进展情况做一简要介绍.

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