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掺杂锰基氧化物中的相分离和渗流效应

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张留碗. 2003: 掺杂锰基氧化物中的相分离和渗流效应, 物理, 32(7): 445-448. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2003.07.005
引用本文: 张留碗. 2003: 掺杂锰基氧化物中的相分离和渗流效应, 物理, 32(7): 445-448. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2003.07.005
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2003: Phase separation and percolation in doped manganites, Physics, 32(7): 445-448. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2003.07.005
Citation: 2003: Phase separation and percolation in doped manganites, Physics, 32(7): 445-448. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2003.07.005
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掺杂锰基氧化物中的相分离和渗流效应

  • 清华大学物理系,清华大学先进材料教育部重点实验室,北京,100084

    • 通讯作者: 张留碗

Phase separation and percolation in doped manganites

    Corresponding author:

  • 摘要: 目前,相分离仍是锰基氧化物超大磁电阻材料研究的热点,渗流效应假设已广泛用于解释其电输运特性.作者用变温磁力显微镜首次在La0.33Pr0.34Ca0.33MnO3 薄膜中直接观察到了渗流过程,微观上证明了渗流效应假设的正确性.实验发现,降温过程中电阻率的陡降是铁磁金属相的渗流效应引起的,升温过程中电阻率的上升,则是由导电路径上磁畴的磁化强度随温度的升高而降低引起的,而导电路径一直存在.微观的磁回滞和宏观的电阻回滞相吻合.当然要定量解释锰氧化物中的超大磁电阻效应还需要做大量的理论和实验工作.
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出版历程
  • 刊出日期:  2003-07-12

掺杂锰基氧化物中的相分离和渗流效应

    通讯作者: 张留碗
  • 清华大学物理系,清华大学先进材料教育部重点实验室,北京,100084

摘要: 目前,相分离仍是锰基氧化物超大磁电阻材料研究的热点,渗流效应假设已广泛用于解释其电输运特性.作者用变温磁力显微镜首次在La0.33Pr0.34Ca0.33MnO3 薄膜中直接观察到了渗流过程,微观上证明了渗流效应假设的正确性.实验发现,降温过程中电阻率的陡降是铁磁金属相的渗流效应引起的,升温过程中电阻率的上升,则是由导电路径上磁畴的磁化强度随温度的升高而降低引起的,而导电路径一直存在.微观的磁回滞和宏观的电阻回滞相吻合.当然要定量解释锰氧化物中的超大磁电阻效应还需要做大量的理论和实验工作.

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