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支撑光网络发展的硅基光电子技术研究

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余金中. 2003: 支撑光网络发展的硅基光电子技术研究, 物理, 32(12): 810-815. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2003.12.008
引用本文: 余金中. 2003: 支撑光网络发展的硅基光电子技术研究, 物理, 32(12): 810-815. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2003.12.008
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2003: Si-based optoelectronic technology for development of optical networks, Physics, 32(12): 810-815. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2003.12.008
Citation: 2003: Si-based optoelectronic technology for development of optical networks, Physics, 32(12): 810-815. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2003.12.008
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支撑光网络发展的硅基光电子技术研究

  • 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083

    • 通讯作者: 余金中

Si-based optoelectronic technology for development of optical networks

    Corresponding author:

  • 摘要: 作为大规模集成电路和化合物半导体光电子器件的制造技术共同构成的一门高新技术,硅基光电子技术越来越受到重视.文章着重介绍中国科学院半导体研究所外延生长SiGe/Si量子结构和Si基器件研究的结果:采用自行设计的UHV/CVD系统,成功地生长出Ⅱ型SiGe/Si量子阱和量子点,直到250K仍能观察到自组织生长Ge/Si(001)量子点的发光峰;研制成功SiGe/Si谐振腔增强型光电二极管(RCE PD)、Y分支MZI光调制器和多模干涉-马赫-曾德干涉型光开关等Si基光电子器件;1.3μm处RCE PD的量子效率达到4.2%,-5V偏压下暗电流密度12pA/μm2;2×2热光型光开关的响应时间小于20μs,两输出端关态串扰为-22dB,通态串扰为-12dB.
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出版历程
  • 刊出日期:  2003-12-12

支撑光网络发展的硅基光电子技术研究

    通讯作者: 余金中
  • 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083

摘要: 作为大规模集成电路和化合物半导体光电子器件的制造技术共同构成的一门高新技术,硅基光电子技术越来越受到重视.文章着重介绍中国科学院半导体研究所外延生长SiGe/Si量子结构和Si基器件研究的结果:采用自行设计的UHV/CVD系统,成功地生长出Ⅱ型SiGe/Si量子阱和量子点,直到250K仍能观察到自组织生长Ge/Si(001)量子点的发光峰;研制成功SiGe/Si谐振腔增强型光电二极管(RCE PD)、Y分支MZI光调制器和多模干涉-马赫-曾德干涉型光开关等Si基光电子器件;1.3μm处RCE PD的量子效率达到4.2%,-5V偏压下暗电流密度12pA/μm2;2×2热光型光开关的响应时间小于20μs,两输出端关态串扰为-22dB,通态串扰为-12dB.

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