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相变型半导体存储器研究进展

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刘波, 宋志棠, 封松林. 2005: 相变型半导体存储器研究进展, 物理, 34(4): 279-286. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.04.009
引用本文: 刘波, 宋志棠, 封松林. 2005: 相变型半导体存储器研究进展, 物理, 34(4): 279-286. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.04.009
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LIU Bo, SONG Zhi-Tang, FENG Song-Lin. 2005: Phase-change semiconductor memories, Physics, 34(4): 279-286. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.04.009
Citation: LIU Bo, SONG Zhi-Tang, FENG Song-Lin. 2005: Phase-change semiconductor memories, Physics, 34(4): 279-286. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.04.009
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相变型半导体存储器研究进展

  • 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

Phase-change semiconductor memories

  • 摘要: 文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-04-12

相变型半导体存储器研究进展

  • 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

摘要: 文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品.

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