自旋输运和巨磁电阻--自旋电子学的物理基础之一

邢定钰

doi:10.3321/j.issn:0379-4148.2005.05.014

物理

自旋输运和巨磁电阻--自旋电子学的物理基础之一

邢定钰. 2005: 自旋输运和巨磁电阻--自旋电子学的物理基础之一, 物理, 34(5): 348-361. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.05.014

引用本文:

邢定钰. 2005: 自旋输运和巨磁电阻--自旋电子学的物理基础之一, 物理, 34(5): 348-361. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.05.014

XING DING-YU. 2005: Spin-polarized transport and giant magnetoresistance--a basic physical feature of spintronics, Physics, 34(5): 348-361. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.05.014

Citation:

XING DING-YU. 2005: Spin-polarized transport and giant magnetoresistance--a basic physical feature of spintronics, Physics, 34(5): 348-361. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.05.014

自旋输运和巨磁电阻--自旋电子学的物理基础之一

邢定钰

南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093

通讯作者: 邢定钰

Spin-polarized transport and giant magnetoresistance--a basic physical feature of spintronics

XING DING-YU

Corresponding author: XING DING-YU

摘要: 介绍磁性纳米结构和锰氧化物中电子的自旋极化输运和巨磁电阻效应,它们是新近发展的自旋电子学的物理基础之一.着重讨论的是以下三方面的基本物理图像:磁多层结构的巨磁电阻,铁磁隧道结的隧穿磁电阻,掺杂锰氧化物的庞磁电阻效应.
- 自旋极化输运 /
- 巨磁电阻 /
- 磁纳米结构 /
- 锰氧化物