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ZnO一维纳米线及其异质结构的外延生长

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刘益春, 陈艳伟, 申德振. 2005: ZnO一维纳米线及其异质结构的外延生长, 物理, 34(9): 654-659. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.09.008
引用本文: 刘益春, 陈艳伟, 申德振. 2005: ZnO一维纳米线及其异质结构的外延生长, 物理, 34(9): 654-659. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.09.008
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LIU Yi-Chun, CHEN Yan-Wei, SHEN De-Zhen. 2005: Growth of epitaxial one-dimensional nanowires and heterostructures of ZnO, Physics, 34(9): 654-659. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.09.008
Citation: LIU Yi-Chun, CHEN Yan-Wei, SHEN De-Zhen. 2005: Growth of epitaxial one-dimensional nanowires and heterostructures of ZnO, Physics, 34(9): 654-659. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.09.008
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ZnO一维纳米线及其异质结构的外延生长

  • 东北师范大学先进光电子功能材料研究中心,长春,130024;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130021

  • 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130021

Growth of epitaxial one-dimensional nanowires and heterostructures of ZnO

  • 摘要: 一维纳米结构因其优异的光、电特性,在纳米电子学,光电子学器件等方面有重要的应用价值而倍受关注.在一维半导体纳米材料中,ZnO因激子束缚能大(60 meV),可在室温获得高效的紫外发光而成为近年来继GaN材料后的又一研究热点.外延生长一维纳米结构ZnO及其量子阱材料除因量子尺寸效应更适宜做室温紫外发光、激光材料与器件外,还因界面和量子限制效应而具有许多新奇的光、电、和力学特性,可应用于纳米光电子学器件,传感器及存储器件,纳米尺度共振隧道结型器件和场效应晶体管的研制和开发.文章着重介绍了目前ZnO一维纳米结构制备,一维ZnO纳米异质结构和一维ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱结构的外延生长和研究进展.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-09-12

ZnO一维纳米线及其异质结构的外延生长

  • 东北师范大学先进光电子功能材料研究中心,长春,130024;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130021
  • 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130021

摘要: 一维纳米结构因其优异的光、电特性,在纳米电子学,光电子学器件等方面有重要的应用价值而倍受关注.在一维半导体纳米材料中,ZnO因激子束缚能大(60 meV),可在室温获得高效的紫外发光而成为近年来继GaN材料后的又一研究热点.外延生长一维纳米结构ZnO及其量子阱材料除因量子尺寸效应更适宜做室温紫外发光、激光材料与器件外,还因界面和量子限制效应而具有许多新奇的光、电、和力学特性,可应用于纳米光电子学器件,传感器及存储器件,纳米尺度共振隧道结型器件和场效应晶体管的研制和开发.文章着重介绍了目前ZnO一维纳米结构制备,一维ZnO纳米异质结构和一维ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱结构的外延生长和研究进展.

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