高级搜索

金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅱ)

,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

王涛, 姚键全, 张国义. 2005: 金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅱ), 物理, 34(10): 718-724. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.10.004
引用本文: 王涛, 姚键全, 张国义. 2005: 金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅱ), 物理, 34(10): 718-724. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.10.004
shu
WANG Tao, YAO Jian-Quan, ZHANG Guo-Yi. 2005: MOCVD Growth of GaN-based light emitting diodes and laser diodes(Ⅱ), Physics, 34(10): 718-724. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.10.004
Citation: WANG Tao, YAO Jian-Quan, ZHANG Guo-Yi. 2005: MOCVD Growth of GaN-based light emitting diodes and laser diodes(Ⅱ), Physics, 34(10): 718-724. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.10.004
shu

金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅱ)

  • 天津大学精密仪器与光电子工程学院激光与光电子研究所,教育部光电信息技术科学重点实验室,天津,300072;北京大学物理学院宽禁带半导体材料研究中心,北京,100871

  • 天津大学精密仪器与光电子工程学院激光与光电子研究所,教育部光电信息技术科学重点实验室,天津,300072

  • 北京大学物理学院宽禁带半导体材料研究中心,北京,100871

MOCVD Growth of GaN-based light emitting diodes and laser diodes(Ⅱ)

计量
  • 文章访问数:  557
  • HTML全文浏览数:  234
  • PDF下载数:  15
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2005-10-12

金属有机化学气相沉积外延技术生长GaN基半导体发光二极管和激光二极管(Ⅱ)

  • 天津大学精密仪器与光电子工程学院激光与光电子研究所,教育部光电信息技术科学重点实验室,天津,300072;北京大学物理学院宽禁带半导体材料研究中心,北京,100871
  • 天津大学精密仪器与光电子工程学院激光与光电子研究所,教育部光电信息技术科学重点实验室,天津,300072
  • 北京大学物理学院宽禁带半导体材料研究中心,北京,100871

摘要: (接2005年第9期第699页)3金属有机化学气相沉积外延技术生长以蓝宝石为衬底InGaN/GaN基激光二极管如今,InGaN/GaN基量子阱发光二极管已经商业化,而且InGaN/GaN基量子阱激光二极管已实现连续波室温运转,使用寿命超过10000小时[27].虽然如此,但还没有完全搞清楚这些器件的发光机理.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回