超高密度电学信息存储研究进展

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姜桂元, 温永强, 吴惠萌, 元文芳, 商艳丽, 高鸿钧, 宋延林. 2006: 超高密度电学信息存储研究进展, 物理, 35(9): 773-778. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2006.09.019
引用本文: 姜桂元, 温永强, 吴惠萌, 元文芳, 商艳丽, 高鸿钧, 宋延林. 2006: 超高密度电学信息存储研究进展, 物理, 35(9): 773-778. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2006.09.019
JIANG Gui-Yuan, WEN Yong-Qiang, WU Hui-Meng, YUAN Wen-fang, SHANG Yan-Li, GAO Hong-Jun, SONG Yan-Lin. 2006: Progress in ultrahigh density electrical information storage, Physics, 35(9): 773-778. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2006.09.019
Citation: JIANG Gui-Yuan, WEN Yong-Qiang, WU Hui-Meng, YUAN Wen-fang, SHANG Yan-Li, GAO Hong-Jun, SONG Yan-Lin. 2006: Progress in ultrahigh density electrical information storage, Physics, 35(9): 773-778. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2006.09.019

超高密度电学信息存储研究进展

Progress in ultrahigh density electrical information storage

  • 摘要: 21世纪是经济信息化、信息数字化的高科技时代,信息的爆炸式增长及电子器件持续微型化的要求需要不断研究和开发更高存储密度、更快响应速度、更长存储寿命及可反复读、写的材料和器件.在纳米/分子尺度上实现存储功能的超高密度信息存储已成为当前信息领域一个倍受关注的研究热点.本文从存储材料和技术角度介绍了基于电学双稳态的超高密度信息存储最新研究进展.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-09-12

超高密度电学信息存储研究进展

  • 中国科学院化学研究所有机固体重点实验室 北京 100080
  • 中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室 北京 100080

摘要: 21世纪是经济信息化、信息数字化的高科技时代,信息的爆炸式增长及电子器件持续微型化的要求需要不断研究和开发更高存储密度、更快响应速度、更长存储寿命及可反复读、写的材料和器件.在纳米/分子尺度上实现存储功能的超高密度信息存储已成为当前信息领域一个倍受关注的研究热点.本文从存储材料和技术角度介绍了基于电学双稳态的超高密度信息存储最新研究进展.

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