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高亮度白光LED用外延片的新进展

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张国义, 陆敏, 陈志忠. 2007: 高亮度白光LED用外延片的新进展, 物理, 36(5): 377-384. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2007.05.010
引用本文: 张国义, 陆敏, 陈志忠. 2007: 高亮度白光LED用外延片的新进展, 物理, 36(5): 377-384. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2007.05.010
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ZHANG Guo-Yi, LU Min, CHEN Zhi-Zhong. 2007: New Progress in wafer epitaxy technologies for high-brightness white LEDs, Physics, 36(5): 377-384. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2007.05.010
Citation: ZHANG Guo-Yi, LU Min, CHEN Zhi-Zhong. 2007: New Progress in wafer epitaxy technologies for high-brightness white LEDs, Physics, 36(5): 377-384. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2007.05.010
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高亮度白光LED用外延片的新进展

  • 北京大学物理学院;人工微结构和介覌物理国家重点实验室;北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871

  • 北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871

New Progress in wafer epitaxy technologies for high-brightness white LEDs

  • 摘要: 文章首先介绍了发光二极管(LED)的内量子效率、外量子效率的基本概念和提高量子效率的基本方法,接着对LED外延的结构和方法做了简要介绍.文章的第三和第四部分则着重介绍了提高内、外量子效率的外延方法,这些方法包括外延结构的优化,侧向外延生长,SiC和GaN衬底的生长,AlInGaN四元系有源区生长,非极性面、半极性面的外延,表面粗化结构生长,图形化二次外延结构.图形化蓝宝石衬底上的外延,提高载流子注入效率的结构和组分设计.文章的第五部分则介绍了基于可靠性和成本考虑的其他新型外延结构,第六部分介绍了提高LED可靠性的外延方法.最后得出结论:采用非极性面的GaN衬底,生长优化的LED结构,并结合光子晶体技术,可望取得突破性进展.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-05-12

高亮度白光LED用外延片的新进展

  • 北京大学物理学院;人工微结构和介覌物理国家重点实验室;北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871
  • 北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871

摘要: 文章首先介绍了发光二极管(LED)的内量子效率、外量子效率的基本概念和提高量子效率的基本方法,接着对LED外延的结构和方法做了简要介绍.文章的第三和第四部分则着重介绍了提高内、外量子效率的外延方法,这些方法包括外延结构的优化,侧向外延生长,SiC和GaN衬底的生长,AlInGaN四元系有源区生长,非极性面、半极性面的外延,表面粗化结构生长,图形化二次外延结构.图形化蓝宝石衬底上的外延,提高载流子注入效率的结构和组分设计.文章的第五部分则介绍了基于可靠性和成本考虑的其他新型外延结构,第六部分介绍了提高LED可靠性的外延方法.最后得出结论:采用非极性面的GaN衬底,生长优化的LED结构,并结合光子晶体技术,可望取得突破性进展.

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