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硅薄膜晶体管液晶显示器的发展

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郭立强, 丁建宁, 何宇亮, 袁宁一, 祁宏山. 2009: 硅薄膜晶体管液晶显示器的发展, 物理, 38(3): 186-190. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2009.03.009
引用本文: 郭立强, 丁建宁, 何宇亮, 袁宁一, 祁宏山. 2009: 硅薄膜晶体管液晶显示器的发展, 物理, 38(3): 186-190. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2009.03.009
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GUO Li-Qiang, DING Jian-Ning, HE Yu-Liang, YUAN Ning-Yi, QI Hong-Shan. 2009: Silicon Thin-Film Transistor Liquid Crystal Displays, Physics, 38(3): 186-190. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2009.03.009
Citation: GUO Li-Qiang, DING Jian-Ning, HE Yu-Liang, YUAN Ning-Yi, QI Hong-Shan. 2009: Silicon Thin-Film Transistor Liquid Crystal Displays, Physics, 38(3): 186-190. doi: 10.3321/j.issn:0379-4148.2009.03.009
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硅薄膜晶体管液晶显示器的发展

  • 江苏大学机械工程学院,镇江,212013

  • 江苏大学机械工程学院,镇江,212013;江苏工业学院新能源工程研究院,常州,213164

  • 南京大学物理系,南京,210093

  • 江苏工业学院新能源工程研究院,常州,213164

Silicon Thin-Film Transistor Liquid Crystal Displays

  • 摘要: 在当前迅速发展的液晶显示技术中,薄膜晶体管液晶显示器以其大容量、高清晰度和高品质全真彩色[1]受到人们的广泛青睐.薄膜晶体管液晶显示器的显示质量和整体性能在很大程度上取决于薄膜晶体管性能,薄膜晶体管(TFT)是众多场效应晶体管(FET)中的一种[2].非晶硅用于制作薄膜晶体管液晶显示器技术的成熟,使非晶体薄膜晶体管液晶显示器在薄膜晶体管液晶显示器的市场中占据了主导地位,而非晶硅薄膜晶体管由于其低迁移率、电导率[3]等性能,严重制约了薄膜晶体管液晶显示器的发展,寻找合适的替代品,追求高迁移率和高电导率一直是研究人员关注的焦点,在此基础上,多晶硅、微晶硅相继发展,虽然在一定程度上暂时解决了迁移率、电导率低的问题,但因多晶硅、微晶硅的价格昂贵、材料短缺,因而未能动摇非晶硅的主导地位.随后的纳米硅薄膜晶体管液晶显示器依靠其本身具有高电导率、高迁移率[4-6]的优越性以及当前纳米技术的进展而成为一个引人注目的新亮点.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-03-12

硅薄膜晶体管液晶显示器的发展

  • 江苏大学机械工程学院,镇江,212013
  • 江苏大学机械工程学院,镇江,212013;江苏工业学院新能源工程研究院,常州,213164
  • 南京大学物理系,南京,210093
  • 江苏工业学院新能源工程研究院,常州,213164

摘要: 在当前迅速发展的液晶显示技术中,薄膜晶体管液晶显示器以其大容量、高清晰度和高品质全真彩色[1]受到人们的广泛青睐.薄膜晶体管液晶显示器的显示质量和整体性能在很大程度上取决于薄膜晶体管性能,薄膜晶体管(TFT)是众多场效应晶体管(FET)中的一种[2].非晶硅用于制作薄膜晶体管液晶显示器技术的成熟,使非晶体薄膜晶体管液晶显示器在薄膜晶体管液晶显示器的市场中占据了主导地位,而非晶硅薄膜晶体管由于其低迁移率、电导率[3]等性能,严重制约了薄膜晶体管液晶显示器的发展,寻找合适的替代品,追求高迁移率和高电导率一直是研究人员关注的焦点,在此基础上,多晶硅、微晶硅相继发展,虽然在一定程度上暂时解决了迁移率、电导率低的问题,但因多晶硅、微晶硅的价格昂贵、材料短缺,因而未能动摇非晶硅的主导地位.随后的纳米硅薄膜晶体管液晶显示器依靠其本身具有高电导率、高迁移率[4-6]的优越性以及当前纳米技术的进展而成为一个引人注目的新亮点.

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