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金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应

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王剑屏, 徐娜军, 张廷庆, 汤华莲, 刘家璐, 刘传洋, 姚育娟, 彭宏论, 何宝平, 张正选. 2000: 金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应, 物理学报, 49(7): 1331-1334. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.024
引用本文: 王剑屏, 徐娜军, 张廷庆, 汤华莲, 刘家璐, 刘传洋, 姚育娟, 彭宏论, 何宝平, 张正选. 2000: 金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应, 物理学报, 49(7): 1331-1334. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.024
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WANG JIAN-PING, XU NA-JUN, ZHANG TING-QING, TANG HUA-LIAN, LIU JIA-LU, LIU CHUAN-YANG, YAO YU-JUAN, PENG HONG-LUN, HE BAO-PING, ZHANG ZHENG-XUAN. 2000: TEMPERATURE EFFECTS OF γ-IRRADIATED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT-TRANSISTOR, Acta Physica Sinica, 49(7): 1331-1334. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.024
Citation: WANG JIAN-PING, XU NA-JUN, ZHANG TING-QING, TANG HUA-LIAN, LIU JIA-LU, LIU CHUAN-YANG, YAO YU-JUAN, PENG HONG-LUN, HE BAO-PING, ZHANG ZHENG-XUAN. 2000: TEMPERATURE EFFECTS OF γ-IRRADIATED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT-TRANSISTOR, Acta Physica Sinica, 49(7): 1331-1334. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.024
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金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应

  • 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071

  • 西北核技术研究所,西安,710024

TEMPERATURE EFFECTS OF γ-IRRADIATED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT-TRANSISTOR

  • 摘要: 研究了金属-氧化物-半导体(MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应.采用加固的CC4007进行辐照实验,在不同温度、不同偏压,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比较,发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢.高温下辐照的器件,界面态建立的时间缩短.根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨.
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出版历程
  • 刊出日期:  2000-07-30

金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应

  • 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
  • 西北核技术研究所,西安,710024

摘要: 研究了金属-氧化物-半导体(MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应.采用加固的CC4007进行辐照实验,在不同温度、不同偏压,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比较,发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢.高温下辐照的器件,界面态建立的时间缩短.根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨.

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