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掺铒氢化非晶氧化硅1.54μm发光性质的研究

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梁建军, 王永谦, 陈维德, 王占国, 常勇. 2000: 掺铒氢化非晶氧化硅1.54μm发光性质的研究, 物理学报, 49(7): 1386-1389. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.035
引用本文: 梁建军, 王永谦, 陈维德, 王占国, 常勇. 2000: 掺铒氢化非晶氧化硅1.54μm发光性质的研究, 物理学报, 49(7): 1386-1389. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.035
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LIANG JIAN-JUN, WANG YONG-QIAN, CHEN WEI-DE, WANG ZHAN-GUO, CHANG YONG. 2000: PHOTOLUMINESCENCE OF ERBIUM-DOPED HYDROGENATED AMORPHOUS SiOx(0＜x＜2), Acta Physica Sinica, 49(7): 1386-1389. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.035
Citation: LIANG JIAN-JUN, WANG YONG-QIAN, CHEN WEI-DE, WANG ZHAN-GUO, CHANG YONG. 2000: PHOTOLUMINESCENCE OF ERBIUM-DOPED HYDROGENATED AMORPHOUS SiOx(0＜x＜2), Acta Physica Sinica, 49(7): 1386-1389. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.035
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掺铒氢化非晶氧化硅1.54μm发光性质的研究

  • 中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院凝聚态物理中心和表面物理国家重点实验室,北京,100080

  • 中国科学院半导体研究所,北京,100083

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

PHOTOLUMINESCENCE OF ERBIUM-DOPED HYDROGENATED AMORPHOUS SiOx(0＜x＜2)

  • 摘要: 采用等离子体增强化学汽相沉积技术生长不同氧含量的氢化非晶氧化硅薄膜(a-SiOx:H),离子注入铒及退火后在室温观察到很强的光致发光.当材料中氧硅含量比约为1和1.76时,分别对应77K和室温测量时最强的1.54μm光致发光.从15到250K的变温实验显示出三个不同的强度与温度变化关系,表明氢化非晶氧化硅中铒离子的能量激发和发光是一个复杂的过程.提出氢化非晶氧化硅薄膜中发光铒离子来自于富氧区,并对实验现象进行了解释.氢化非晶氧化硅中铒发光的温度淬灭效应很弱.从15到250K,光致发光强度减弱约1/2.
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出版历程
  • 刊出日期:  2000-07-30

掺铒氢化非晶氧化硅1.54μm发光性质的研究

  • 中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院凝聚态物理中心和表面物理国家重点实验室,北京,100080
  • 中国科学院半导体研究所,北京,100083
  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

摘要: 采用等离子体增强化学汽相沉积技术生长不同氧含量的氢化非晶氧化硅薄膜(a-SiOx:H),离子注入铒及退火后在室温观察到很强的光致发光.当材料中氧硅含量比约为1和1.76时,分别对应77K和室温测量时最强的1.54μm光致发光.从15到250K的变温实验显示出三个不同的强度与温度变化关系,表明氢化非晶氧化硅中铒离子的能量激发和发光是一个复杂的过程.提出氢化非晶氧化硅薄膜中发光铒离子来自于富氧区,并对实验现象进行了解释.氢化非晶氧化硅中铒发光的温度淬灭效应很弱.从15到250K,光致发光强度减弱约1/2.

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