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光照下高电子迁移率晶体管特性分析

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吕永良, 周世平, 徐得名. 2000: 光照下高电子迁移率晶体管特性分析, 物理学报, 49(7): 1394-1399. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.037
引用本文: 吕永良, 周世平, 徐得名. 2000: 光照下高电子迁移率晶体管特性分析, 物理学报, 49(7): 1394-1399. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.037
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Lü YONG-LIANG, ZHOU SHI-PING, XU DE-MING. 2000: ANALYSIS OF PROPERTIES OF HIGH-ELECTRON-MOBILITY-TRANSISTOR UNDER OPTICAL ILLUMINATION, Acta Physica Sinica, 49(7): 1394-1399. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.037
Citation: Lü YONG-LIANG, ZHOU SHI-PING, XU DE-MING. 2000: ANALYSIS OF PROPERTIES OF HIGH-ELECTRON-MOBILITY-TRANSISTOR UNDER OPTICAL ILLUMINATION, Acta Physica Sinica, 49(7): 1394-1399. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.037
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光照下高电子迁移率晶体管特性分析

  • 上海大学物理系,上海,201800

  • 上海大学通信工程系,上海,201800

ANALYSIS OF PROPERTIES OF HIGH-ELECTRON-MOBILITY-TRANSISTOR UNDER OPTICAL ILLUMINATION

  • 摘要: 以光照下耗尽型AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管为例,考虑了光生载流子对半导体内电荷密度的影响和光压效应,采用器件的电荷控制模型,分析了光照对器件夹断电压、二维电子气浓度、I-V特性以及跨导的影响.与无光照的情况相比较,夹断电压变小,二维电子气浓度增大,从而提高了器件的电流增益,增大了跨导.
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出版历程
  • 刊出日期:  2000-07-30

光照下高电子迁移率晶体管特性分析

  • 上海大学物理系,上海,201800
  • 上海大学通信工程系,上海,201800

摘要: 以光照下耗尽型AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管为例,考虑了光生载流子对半导体内电荷密度的影响和光压效应,采用器件的电荷控制模型,分析了光照对器件夹断电压、二维电子气浓度、I-V特性以及跨导的影响.与无光照的情况相比较,夹断电压变小,二维电子气浓度增大,从而提高了器件的电流增益,增大了跨导.

English Abstract

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