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有机单体3-phenyl-1-ureidonitrile薄膜的超高密度信息存储

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时东霞, 张昊旭, 解思深, 庞世瑾, 高鸿钧, 宋延林. 2001: 有机单体3-phenyl-1-ureidonitrile薄膜的超高密度信息存储, 物理学报, 50(2): 361-364. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.02.031
引用本文: 时东霞, 张昊旭, 解思深, 庞世瑾, 高鸿钧, 宋延林. 2001: 有机单体3-phenyl-1-ureidonitrile薄膜的超高密度信息存储, 物理学报, 50(2): 361-364. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.02.031
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SHI DONG-XIA, ZHANG HAO-XU, XIE SI-SHEN, PANG SHI-JIN, Gao Hong-jun, SONG Yan-Lin. 2001: ULTRAHIGH-DENSITY DATA STORAGE ON AN ORGANIC MONOMER 3-PHENYL-1-UREIDONITRILE THIN FILM, Acta Physica Sinica, 50(2): 361-364. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.02.031
Citation: SHI DONG-XIA, ZHANG HAO-XU, XIE SI-SHEN, PANG SHI-JIN, Gao Hong-jun, SONG Yan-Lin. 2001: ULTRAHIGH-DENSITY DATA STORAGE ON AN ORGANIC MONOMER 3-PHENYL-1-UREIDONITRILE THIN FILM, Acta Physica Sinica, 50(2): 361-364. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.02.031
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有机单体3-phenyl-1-ureidonitrile薄膜的超高密度信息存储

  • 中国科学院物理研究所；东北大学机械工程与自动化学院,

  • 中国科学院物理研究所

  • 中国科学院化学研究所分子科学中心,

ULTRAHIGH-DENSITY DATA STORAGE ON AN ORGANIC MONOMER 3-PHENYL-1-UREIDONITRILE THIN FILM

  • 摘要: 采用扫描隧道显微镜(STM)在3-phenyl-1-ureidonitrile (PUN)有机单体薄膜上进行了超高密度信息存储的研究.通过在STM针尖和高定向裂解石墨(HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲，在薄膜上写入了一个稳定的5×6信息点阵，信息点的大小是0.8?nm.电流-电压(I-V)曲线表明，施加电压脉冲前后薄膜的导电性质发生了变化.信息点的写入机制可能是强电场作用下引发的PUN分子的局域聚合，从而导致薄膜由高电阻态向低电阻态转变.
    Abstract: Ultrahigh-density data storage on a 3-phenyl-1-ureidonitrile (PUN) thin film was performed using a scanning tunneling microscope. The recorded marks of 0.8?nm in diameter were obtained when voltage pulses of 4 V for 10ms were applied between the STM tip and highly ordered pyrolytic graphite substrate. The current-voltage relations at the local regions of the films indicate that the recorded region is conductive and the unrecorded region is in a high impedance state. A possible mechanism of this data storage was suggested and discussed.
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出版历程
  • 刊出日期:  2001-02-28

有机单体3-phenyl-1-ureidonitrile薄膜的超高密度信息存储

  • 中国科学院物理研究所；东北大学机械工程与自动化学院,
  • 中国科学院物理研究所
  • 中国科学院化学研究所分子科学中心,

摘要: 采用扫描隧道显微镜(STM)在3-phenyl-1-ureidonitrile (PUN)有机单体薄膜上进行了超高密度信息存储的研究.通过在STM针尖和高定向裂解石墨(HOPG)衬底之间施加一系列的电压脉冲，在薄膜上写入了一个稳定的5×6信息点阵，信息点的大小是0.8?nm.电流-电压(I-V)曲线表明，施加电压脉冲前后薄膜的导电性质发生了变化.信息点的写入机制可能是强电场作用下引发的PUN分子的局域聚合，从而导致薄膜由高电阻态向低电阻态转变.

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