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SiC/SiO2界面粗糙散射对沟道迁移率影响的Monte Carlo研究

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尚也淳, 张义门, 张玉明. 2001: SiC/SiO2界面粗糙散射对沟道迁移率影响的Monte Carlo研究, 物理学报, 50(7): 1350-1354. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.07.030
引用本文: 尚也淳, 张义门, 张玉明. 2001: SiC/SiO2界面粗糙散射对沟道迁移率影响的Monte Carlo研究, 物理学报, 50(7): 1350-1354. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.07.030
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2001: Monte Carlo Study on Interface Roughness Dependence of Electron Mobility in 6H-SiC Inversion Layers, Acta Physica Sinica, 50(7): 1350-1354. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.07.030
Citation: 2001: Monte Carlo Study on Interface Roughness Dependence of Electron Mobility in 6H-SiC Inversion Layers, Acta Physica Sinica, 50(7): 1350-1354. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.07.030
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SiC/SiO2界面粗糙散射对沟道迁移率影响的Monte Carlo研究

  • 西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071

Monte Carlo Study on Interface Roughness Dependence of Electron Mobility in 6H-SiC Inversion Layers

  • 摘要: 提出了一种SiC反型层表面粗糙散射的指数模型,并对6H-SiC反型层迁移率进行了单电子的MonteCarlo模拟,模拟中考虑了沟道区的量子化效应.模拟结果表明,采用表面粗糙散射的指数模型能够使SiC反型层迁移率的模拟结果和实验值符合得更好.模拟结果还反映出有效横向电场较高时表面粗糙散射的作用会变得更显著,电子的屏蔽效应降低了粗糙散射对沟道迁移率的影响,温度升高会引起沟道迁移率降低.
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出版历程
  • 刊出日期:  2001-07-30

SiC/SiO2界面粗糙散射对沟道迁移率影响的Monte Carlo研究

  • 西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071

摘要: 提出了一种SiC反型层表面粗糙散射的指数模型,并对6H-SiC反型层迁移率进行了单电子的MonteCarlo模拟,模拟中考虑了沟道区的量子化效应.模拟结果表明,采用表面粗糙散射的指数模型能够使SiC反型层迁移率的模拟结果和实验值符合得更好.模拟结果还反映出有效横向电场较高时表面粗糙散射的作用会变得更显著,电子的屏蔽效应降低了粗糙散射对沟道迁移率的影响,温度升高会引起沟道迁移率降低.

English Abstract

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