微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的结构研究

上一篇

下一篇

张永平, 顾有松, 高鸿钧, 张秀芳. 2001: 微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的结构研究, 物理学报, 50(7): 2396-1400. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.07.038
引用本文: 张永平, 顾有松, 高鸿钧, 张秀芳. 2001: 微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的结构研究, 物理学报, 50(7): 2396-1400. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.07.038
2001: Hstructural Characterization of C3N4 Thin Films Synthesized by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition, Acta Physica Sinica, 50(7): 2396-1400. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.07.038
Citation: 2001: Hstructural Characterization of C3N4 Thin Films Synthesized by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition, Acta Physica Sinica, 50(7): 2396-1400. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.07.038

微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的结构研究

Hstructural Characterization of C3N4 Thin Films Synthesized by Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

  • 摘要: 采用微波等离子体化学气相沉积法,用高纯氮气(99.999%)和甲烷(99.9%)作反应气体,在单晶Si(100)基片上沉积C3N4薄膜.利用扫描电子显微镜观察薄膜形貌,表明薄膜由密排的六棱晶棒组成.X射线衍射和透射电子显微镜结构分析说明该薄膜主要由β-C3N4和α-C3N4组成,并且这些结果与α-C3N4相符合较好.由虎克定律近似关系式计算了α-和β-C3N4的傅里叶变换红外光谱和Raman光谱,实验结果支持C-N共价键的存在.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  540
  • HTML全文浏览数:  60
  • PDF下载数:  86
  • 施引文献:  0
出版历程

微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的结构研究

  • 中国科学院物理研究所,凝聚态物理中心北京真空物理实验室,北京 100080
  • 北京科技大学材料物理系,北京 100083

摘要: 采用微波等离子体化学气相沉积法,用高纯氮气(99.999%)和甲烷(99.9%)作反应气体,在单晶Si(100)基片上沉积C3N4薄膜.利用扫描电子显微镜观察薄膜形貌,表明薄膜由密排的六棱晶棒组成.X射线衍射和透射电子显微镜结构分析说明该薄膜主要由β-C3N4和α-C3N4组成,并且这些结果与α-C3N4相符合较好.由虎克定律近似关系式计算了α-和β-C3N4的傅里叶变换红外光谱和Raman光谱,实验结果支持C-N共价键的存在.

English Abstract

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回