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气相法生长N-salicylideneaniline单晶及其偏振特性

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赵立竹, 申猛燕, 後藤武生. 2001: 气相法生长N-salicylideneaniline单晶及其偏振特性, 物理学报, 50(8): 1540-1544. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.08.026
引用本文: 赵立竹, 申猛燕, 後藤武生. 2001: 气相法生长N-salicylideneaniline单晶及其偏振特性, 物理学报, 50(8): 1540-1544. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.08.026
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2001: GROWING N-SALICYLIDENEANILINE (SA) SINGLE CRYSTAL BY PHYSICAL VAPOUR DEPOSITATION AND ITS POLARIZATION PROPERTY, Acta Physica Sinica, 50(8): 1540-1544. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.08.026
Citation: 2001: GROWING N-SALICYLIDENEANILINE (SA) SINGLE CRYSTAL BY PHYSICAL VAPOUR DEPOSITATION AND ITS POLARIZATION PROPERTY, Acta Physica Sinica, 50(8): 1540-1544. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.08.026
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气相法生长N-salicylideneaniline单晶及其偏振特性

  • 东北师范大学物理系,

  • 日本东北大学理学部,

GROWING N-SALICYLIDENEANILINE (SA) SINGLE CRYSTAL BY PHYSICAL VAPOUR DEPOSITATION AND ITS POLARIZATION PROPERTY

  • 摘要: 用气相法生长成足够大的N-salicylideneaniline(SA)单晶，并研究SA单晶对不同偏振探测光的光致变色性质.在不同温度和不同偏振的情况下，测试了光致着色和光致褪色过程中光密度变化的时间依存性质，并通过计算获得SA单晶用不同偏振探测光测得的激活能.并通过理论计算和实验结果发现，在200 K温度用紫外光照射样品时，生成的酮分子中约有60%是trans酮构型和约40%的cis酮构型.
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出版历程
  • 刊出日期:  2001-08-30

气相法生长N-salicylideneaniline单晶及其偏振特性

  • 东北师范大学物理系,
  • 日本东北大学理学部,

摘要: 用气相法生长成足够大的N-salicylideneaniline(SA)单晶，并研究SA单晶对不同偏振探测光的光致变色性质.在不同温度和不同偏振的情况下，测试了光致着色和光致褪色过程中光密度变化的时间依存性质，并通过计算获得SA单晶用不同偏振探测光测得的激活能.并通过理论计算和实验结果发现，在200 K温度用紫外光照射样品时，生成的酮分子中约有60%是trans酮构型和约40%的cis酮构型.

English Abstract

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