Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

张永平; 闫隆; 解思深; 庞世谨; 高鸿钧

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.017

物理学报

Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

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张永平, 闫隆, 解思深, 庞世谨, 高鸿钧. 2002: Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长, 物理学报, 51(2): 296-299. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.017

引用本文:

张永平, 闫隆, 解思深, 庞世谨, 高鸿钧. 2002: Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长, 物理学报, 51(2): 296-299. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.017

2002: Self-assembled growth of Ge quantum dots on Si(111)-(7×7) surface, Acta Physica Sinica, 51(2): 296-299. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.017

Citation:

2002: Self-assembled growth of Ge quantum dots on Si(111)-(7×7) surface, Acta Physica Sinica, 51(2): 296-299. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.017

Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

中国科学院物理研究所凝聚态物理中心,北京真空物理实验室,北京,100080

Self-assembled growth of Ge quantum dots on Si(111)-(7×7) surface

摘要: 用扫描隧道显微镜研究了Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点.由于Ge在Si(111)-(7×7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点.
- 锗,硅,扫描隧道显微镜 /
- 自组织生长