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有机衬底SnO2:Sb透明导电膜的制备与特性研究

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郝晓涛, 马瑾, 徐现刚, 杨莺歌, 张德恒, 杨田林, 马洪磊. 2002: 有机衬底SnO2:Sb透明导电膜的制备与特性研究, 物理学报, 51(2): 351-354. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.028
引用本文: 郝晓涛, 马瑾, 徐现刚, 杨莺歌, 张德恒, 杨田林, 马洪磊. 2002: 有机衬底SnO2:Sb透明导电膜的制备与特性研究, 物理学报, 51(2): 351-354. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.028
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2002: Preparation and properties of conducting transparent SnO2:Sb films deposited on flexible substrates, Acta Physica Sinica, 51(2): 351-354. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.028
Citation: 2002: Preparation and properties of conducting transparent SnO2:Sb films deposited on flexible substrates, Acta Physica Sinica, 51(2): 351-354. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.028
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有机衬底SnO2:Sb透明导电膜的制备与特性研究

  • 山东大学物理与微电子学院,光电材料与器件研究所,济南,250100

  • 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

  • 淄博学院数理系,淄博,255000

Preparation and properties of conducting transparent SnO2:Sb films deposited on flexible substrates

  • 摘要: 常温下,采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2:Sb透明导电膜,并对薄膜的结构和光电性质进行了研究.制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构.性能良好的薄膜电阻率为6.5×10-3Ω*cm,载流子浓度为1.2×1020cm-3,霍耳迁移率是9.7cm2*V-1*s-1.薄膜在可见光区的平均透过率达到了85%.
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-02-28

有机衬底SnO2:Sb透明导电膜的制备与特性研究

  • 山东大学物理与微电子学院,光电材料与器件研究所,济南,250100
  • 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
  • 淄博学院数理系,淄博,255000

摘要: 常温下,采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2:Sb透明导电膜,并对薄膜的结构和光电性质进行了研究.制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构.性能良好的薄膜电阻率为6.5×10-3Ω*cm,载流子浓度为1.2×1020cm-3,霍耳迁移率是9.7cm2*V-1*s-1.薄膜在可见光区的平均透过率达到了85%.

English Abstract

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