高级搜索

掺杂浓度对硅锥阴极特性的影响

,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

皇甫鲁江, 朱长纯, 淮永进. 2002: 掺杂浓度对硅锥阴极特性的影响, 物理学报, 51(2): 382-388. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.034
引用本文: 皇甫鲁江, 朱长纯, 淮永进. 2002: 掺杂浓度对硅锥阴极特性的影响, 物理学报, 51(2): 382-388. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.034
shu
2002: The influences of doping on the emission characteristic of a silicon emitter, Acta Physica Sinica, 51(2): 382-388. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.034
Citation: 2002: The influences of doping on the emission characteristic of a silicon emitter, Acta Physica Sinica, 51(2): 382-388. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.034
shu

掺杂浓度对硅锥阴极特性的影响

  • 西安交通大学,电子与信息工程学院,西安,710049

  • 北京东方电子集团,北京 100016

The influences of doping on the emission characteristic of a silicon emitter

  • 摘要: 基于漂移-扩散模型和量子理论中的WKB方法,用数值模拟方法分析了材料掺杂浓度对硅锥阴极场致发射特性及工作状态的影响,结果表明,硅锥阴极单纯的场致发射Iemit|E特性受硅材料掺杂浓度的影响很小.但低掺杂硅锥阴极顶端的电位随发射电流增大而明显上升.锥体上电位变化可以等效为一个与锥体形状与掺杂相关的串联电阻的作用,这一电阻对单尖发射电流有负反馈作用.另外,在常规的工作状态下,硅锥阴级的温升并不严重.这些结果可以作为硅锥阴极设计的参考.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  451
  • HTML全文浏览数:  47
  • PDF下载数:  16
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2002-02-28

掺杂浓度对硅锥阴极特性的影响

  • 西安交通大学,电子与信息工程学院,西安,710049
  • 北京东方电子集团,北京 100016

摘要: 基于漂移-扩散模型和量子理论中的WKB方法,用数值模拟方法分析了材料掺杂浓度对硅锥阴极场致发射特性及工作状态的影响,结果表明,硅锥阴极单纯的场致发射Iemit|E特性受硅材料掺杂浓度的影响很小.但低掺杂硅锥阴极顶端的电位随发射电流增大而明显上升.锥体上电位变化可以等效为一个与锥体形状与掺杂相关的串联电阻的作用,这一电阻对单尖发射电流有负反馈作用.另外,在常规的工作状态下,硅锥阴级的温升并不严重.这些结果可以作为硅锥阴极设计的参考.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回