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直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜

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马平, 刘乐园, 张升原, 王昕, 谢飞翔, 邓鹏, 聂瑞娟, 王守证, 戴远东, 王福仁. 2002: 直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜, 物理学报, 51(2): 406-409. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.038
引用本文: 马平, 刘乐园, 张升原, 王昕, 谢飞翔, 邓鹏, 聂瑞娟, 王守证, 戴远东, 王福仁. 2002: 直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜, 物理学报, 51(2): 406-409. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.038
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2002: Single-step in-situ preparation of magnesium diboride superconducting thin films by dc magnetron sputtering, Acta Physica Sinica, 51(2): 406-409. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.038
Citation: 2002: Single-step in-situ preparation of magnesium diboride superconducting thin films by dc magnetron sputtering, Acta Physica Sinica, 51(2): 406-409. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.038
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直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜

  • 人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理系,北京,100871

Single-step in-situ preparation of magnesium diboride superconducting thin films by dc magnetron sputtering

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出版历程

直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜

  • 人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理系,北京,100871

摘要: 用MgB2靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO3衬底上原位一次性得到了MgB2超导薄膜,其起始转变温度为32K,零电阻温度为15K.

English Abstract

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