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铋层化合物Sr1+xBi4-xTi4-xTaxO15(x=0-1)陶瓷的介电和铁电特性

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赵明磊, 王春雷, 钟维烈, 张沛霖, 王矜奉. 2002: 铋层化合物Sr1+xBi4-xTi4-xTaxO15(x=0-1)陶瓷的介电和铁电特性, 物理学报, 51(2): 420-423. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.041
引用本文: 赵明磊, 王春雷, 钟维烈, 张沛霖, 王矜奉. 2002: 铋层化合物Sr1+xBi4-xTi4-xTaxO15(x=0-1)陶瓷的介电和铁电特性, 物理学报, 51(2): 420-423. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.041
shu
2002: Dielectric and ferroelectric properties of bismuth layer-structured compound Sr1+xBi4-xTi4-xTaxO15(x=0-1), Acta Physica Sinica, 51(2): 420-423. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.041
Citation: 2002: Dielectric and ferroelectric properties of bismuth layer-structured compound Sr1+xBi4-xTi4-xTaxO15(x=0-1), Acta Physica Sinica, 51(2): 420-423. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.041
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铋层化合物Sr1+xBi4-xTi4-xTaxO15(x=0-1)陶瓷的介电和铁电特性

  • 山东大学物理系,济南,250100

Dielectric and ferroelectric properties of bismuth layer-structured compound Sr1+xBi4-xTi4-xTaxO15(x=0-1)

  • 摘要: 研究了铋层化合物Sr1+xBi4-xTi4-xTaxO15(x=0-1)陶瓷的介电和铁电特性.研究发现随着x值的增大,材料的居里点由540℃降到30℃左右,但材料始终具有铁电性.对于SrBi4Ti4O15陶瓷施加120kV-cm的电场仍无法得到饱和的回线,此时的剩余极化和矫顽场分别约为7μC-cm2和73kV-cm.对于x=0.4-0.5的材料由于它们同时具有较高的居里温度300℃-360℃,较大的剩余极化7-8μC-cm2和较小的矫顽场37-47kV-cm,因此是一类性能较为优良的铁电材料.
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-02-28

铋层化合物Sr1+xBi4-xTi4-xTaxO15(x=0-1)陶瓷的介电和铁电特性

  • 山东大学物理系,济南,250100

摘要: 研究了铋层化合物Sr1+xBi4-xTi4-xTaxO15(x=0-1)陶瓷的介电和铁电特性.研究发现随着x值的增大,材料的居里点由540℃降到30℃左右,但材料始终具有铁电性.对于SrBi4Ti4O15陶瓷施加120kV-cm的电场仍无法得到饱和的回线,此时的剩余极化和矫顽场分别约为7μC-cm2和73kV-cm.对于x=0.4-0.5的材料由于它们同时具有较高的居里温度300℃-360℃,较大的剩余极化7-8μC-cm2和较小的矫顽场37-47kV-cm,因此是一类性能较为优良的铁电材料.

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