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ECR-CVD法制备的a-C:F:H薄膜在 N2气氛中的热退火研究

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辛煜, 宁兆元, 程珊华, 陆新华, 甘肇强, 黄松. 2002: ECR-CVD法制备的a-C:F:H薄膜在 N2气氛中的热退火研究, 物理学报, 51(2): 439-443. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.045
引用本文: 辛煜, 宁兆元, 程珊华, 陆新华, 甘肇强, 黄松. 2002: ECR-CVD法制备的a-C:F:H薄膜在 N2气氛中的热退火研究, 物理学报, 51(2): 439-443. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.045
shu
2002: Investigation of thermal annealing for a-C:F:H films deposited with microwave ECR-CVD method, Acta Physica Sinica, 51(2): 439-443. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.045
Citation: 2002: Investigation of thermal annealing for a-C:F:H films deposited with microwave ECR-CVD method, Acta Physica Sinica, 51(2): 439-443. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.045
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ECR-CVD法制备的a-C:F:H薄膜在 N2气氛中的热退火研究

  • 苏州大学物理系薄膜材料实验室,苏州,215006

  • 苏州大学化学系,苏州,215006

Investigation of thermal annealing for a-C:F:H films deposited with microwave ECR-CVD method

  • 摘要: 改变CHF3-CH4源气体流量比,使用微波电子回旋共振化学气相沉积方法(ECR-CVD)制备了具有不同C-F键结构的a-C:F:H薄膜,着重研究了退火对其结构的影响.结果显示薄膜的厚度及其光学带隙E04随退火温度的上升均呈现了不同程度的下降.借助于红外吸收光谱和所提出的热解模型解释了产生这种关系的结构上的根源.
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-02-28

ECR-CVD法制备的a-C:F:H薄膜在 N2气氛中的热退火研究

  • 苏州大学物理系薄膜材料实验室,苏州,215006
  • 苏州大学化学系,苏州,215006

摘要: 改变CHF3-CH4源气体流量比,使用微波电子回旋共振化学气相沉积方法(ECR-CVD)制备了具有不同C-F键结构的a-C:F:H薄膜,着重研究了退火对其结构的影响.结果显示薄膜的厚度及其光学带隙E04随退火温度的上升均呈现了不同程度的下降.借助于红外吸收光谱和所提出的热解模型解释了产生这种关系的结构上的根源.

English Abstract

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