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溶胶-凝胶VO2薄膜转换特性研究

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袁宁一, 李金华, 林成鲁. 2002: 溶胶-凝胶VO2薄膜转换特性研究, 物理学报, 51(4): 852-856. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.04.028
引用本文: 袁宁一, 李金华, 林成鲁. 2002: 溶胶-凝胶VO2薄膜转换特性研究, 物理学报, 51(4): 852-856. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.04.028
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2002: Switching property of sol-gel vanadium oxide thin films, Acta Physica Sinica, 51(4): 852-856. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.04.028
Citation: 2002: Switching property of sol-gel vanadium oxide thin films, Acta Physica Sinica, 51(4): 852-856. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.04.028
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溶胶-凝胶VO2薄膜转换特性研究

  • 江苏石油化工学院信息科学系功能材料实验室,常州,213016；中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

  • 江苏石油化工学院信息科学系功能材料实验室,常州,213016

  • 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

Switching property of sol-gel vanadium oxide thin films

  • 摘要: 利用溶胶-凝胶法在SiO2/Si 衬底上沉积高取向的V2O5薄膜,在压强低于2Pa,温度高于400℃的条件下,对V2O5薄膜进行真空烘烤,获得了电阻率变化3个数量级以上、弛豫宽度为6.2℃的VO2多晶薄膜.以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图和电阻率转换特性等实验结果为依据,详细分析了溶胶-凝胶薄膜在真空烘烤时从V2O5向VO2的转化,它经历了从VnO2n+1(n=2,3,4,6)到VO2的过程.实验证明,根据选择合适的成膜热处理条件和真空烘烤条件是实现溶胶-凝胶V2O5结构向VO2结构成功转换的关键.
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-04-30

溶胶-凝胶VO2薄膜转换特性研究

  • 江苏石油化工学院信息科学系功能材料实验室,常州,213016；中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050
  • 江苏石油化工学院信息科学系功能材料实验室,常州,213016
  • 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

摘要: 利用溶胶-凝胶法在SiO2/Si 衬底上沉积高取向的V2O5薄膜,在压强低于2Pa,温度高于400℃的条件下,对V2O5薄膜进行真空烘烤,获得了电阻率变化3个数量级以上、弛豫宽度为6.2℃的VO2多晶薄膜.以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图和电阻率转换特性等实验结果为依据,详细分析了溶胶-凝胶薄膜在真空烘烤时从V2O5向VO2的转化,它经历了从VnO2n+1(n=2,3,4,6)到VO2的过程.实验证明,根据选择合适的成膜热处理条件和真空烘烤条件是实现溶胶-凝胶V2O5结构向VO2结构成功转换的关键.

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