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在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格

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闫隆, 张永平, 彭毅萍, 庞世谨, 高鸿钧. 2002: 在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格, 物理学报, 51(5): 1017-1021. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.05.016
引用本文: 闫隆, 张永平, 彭毅萍, 庞世谨, 高鸿钧. 2002: 在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格, 物理学报, 51(5): 1017-1021. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.05.016
shu
2002: Self-organized growth of sub-monolayer Ge on Si(111)-(7×7), Acta Physica Sinica, 51(5): 1017-1021. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.05.016
Citation: 2002: Self-organized growth of sub-monolayer Ge on Si(111)-(7×7), Acta Physica Sinica, 51(5): 1017-1021. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.05.016
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在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格

  • 中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室,北京,100080

Self-organized growth of sub-monolayer Ge on Si(111)-(7×7)

  • 摘要: 利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111)-(7×7)表面上的自组织生长.通过控制Ge的沉积量,在Si(111)-(7×7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格.构成超晶格的Ge团簇均位于(7×7)亚单胞的位置上,而且它们的形状和大小基本保持一致.文中对这种自组织结构的形成机理进行了讨论.
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-05-30

在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格

  • 中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室,北京,100080

摘要: 利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111)-(7×7)表面上的自组织生长.通过控制Ge的沉积量,在Si(111)-(7×7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格.构成超晶格的Ge团簇均位于(7×7)亚单胞的位置上,而且它们的形状和大小基本保持一致.文中对这种自组织结构的形成机理进行了讨论.

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