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半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合

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刘文楷, 林世鸣, 张存善. 2002: 半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合, 物理学报, 51(9): 2052-2056. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.09.026
引用本文: 刘文楷, 林世鸣, 张存善. 2002: 半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合, 物理学报, 51(9): 2052-2056. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.09.026
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2002: Coupling between cavity mode and heavy-hole exciton and light-hole exciton in semiconductor microcavity, Acta Physica Sinica, 51(9): 2052-2056. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.09.026
Citation: 2002: Coupling between cavity mode and heavy-hole exciton and light-hole exciton in semiconductor microcavity, Acta Physica Sinica, 51(9): 2052-2056. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.09.026
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半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合

  • 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083

  • 河北工业大学电气信息学院,天津,300130

Coupling between cavity mode and heavy-hole exciton and light-hole exciton in semiconductor microcavity

  • 摘要: 采用传输矩阵方法利用半经典的线性色散模型,计算半导体微腔内同时存在重空穴激子、轻空穴激子时,在不同入射角度下的反射谱,同时,利用三简谐振子耦合模型计算了在不同入射角度下,腔模同时和重空穴激子模、轻空穴激子模耦合所形成的三支腔极化激元的能量,以及腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模分别在三支腔极化激元中所占的权重,结果表明随着入射角的增加腔极化激元的高能支和两个低能支之间存在明显的反交叉现象,同时,腔模和重空穴激子模、轻空穴激子模在腔极化激元中所占的权重呈现增加或减小的趋势.
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出版历程

半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合

  • 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083
  • 河北工业大学电气信息学院,天津,300130

摘要: 采用传输矩阵方法利用半经典的线性色散模型,计算半导体微腔内同时存在重空穴激子、轻空穴激子时,在不同入射角度下的反射谱,同时,利用三简谐振子耦合模型计算了在不同入射角度下,腔模同时和重空穴激子模、轻空穴激子模耦合所形成的三支腔极化激元的能量,以及腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模分别在三支腔极化激元中所占的权重,结果表明随着入射角的增加腔极化激元的高能支和两个低能支之间存在明显的反交叉现象,同时,腔模和重空穴激子模、轻空穴激子模在腔极化激元中所占的权重呈现增加或减小的趋势.

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