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GaN及其Ga空位的电子结构

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何军, 郑浩平. 2002: GaN及其Ga空位的电子结构, 物理学报, 51(11): 2580-2588. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.11.031
引用本文: 何军, 郑浩平. 2002: GaN及其Ga空位的电子结构, 物理学报, 51(11): 2580-2588. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.11.031
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2002: The electronic structure of GaN and a single Ga-vacancy in GaN crystal, Acta Physica Sinica, 51(11): 2580-2588. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.11.031
Citation: 2002: The electronic structure of GaN and a single Ga-vacancy in GaN crystal, Acta Physica Sinica, 51(11): 2580-2588. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.11.031
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GaN及其Ga空位的电子结构

  • 同济大学玻尔固体物理研究所,上海,200092

The electronic structure of GaN and a single Ga-vacancy in GaN crystal

  • 摘要: 用团簇埋入自洽计算法对宽禁带半导体GaN的电子结构进行了自旋极化的、全电子、全势场的从头计算,得到了与实验值符合的GaN晶体禁带宽度以及价带中N 2p带、N 2s带和Ga 3d带之间的相对位置.在此基础上Ga空位计算(无晶格畸变)显示, Ga空位周围的费米面显著高于正常GaN晶格的费米面.因此Ga空位周围N原子的处于费米面上的2p电子很易被激发成正常晶格处的传导电子.
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出版历程

GaN及其Ga空位的电子结构

  • 同济大学玻尔固体物理研究所,上海,200092

摘要: 用团簇埋入自洽计算法对宽禁带半导体GaN的电子结构进行了自旋极化的、全电子、全势场的从头计算,得到了与实验值符合的GaN晶体禁带宽度以及价带中N 2p带、N 2s带和Ga 3d带之间的相对位置.在此基础上Ga空位计算(无晶格畸变)显示, Ga空位周围的费米面显著高于正常GaN晶格的费米面.因此Ga空位周围N原子的处于费米面上的2p电子很易被激发成正常晶格处的传导电子.

English Abstract

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