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GaN(0001)表面的电子结构研究

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谢长坤, 徐法强, 邓锐, 徐彭寿, 刘凤琴, K.Yibulaxin. 2002: GaN(0001)表面的电子结构研究, 物理学报, 51(11): 2606-2611. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.11.035
引用本文: 谢长坤, 徐法强, 邓锐, 徐彭寿, 刘凤琴, K.Yibulaxin. 2002: GaN(0001)表面的电子结构研究, 物理学报, 51(11): 2606-2611. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.11.035
shu
2002: Studies on electronic structure of GaN(0001) surface, Acta Physica Sinica, 51(11): 2606-2611. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.11.035
Citation: 2002: Studies on electronic structure of GaN(0001) surface, Acta Physica Sinica, 51(11): 2606-2611. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.11.035
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GaN(0001)表面的电子结构研究

  • 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029

  • 中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥,230026;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029

  • 中国科学院高能物理研究所,北京,100039

Studies on electronic structure of GaN(0001) surface

  • 摘要: 报道了纤锌矿WZ(wurtzite) GaN(0001)表面的电子结构研究.采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度,与以前实验结果一致.讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响.利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了价带电子结构.通过改变光子能量的垂直出射谱勾画沿ΓA方向的体能带结构,与计算得到的能带结构符合得较好.根据沿ΓK和ΓM方向的非垂直出射谱,确定了两个表面态的能带色散.
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-11-30

GaN(0001)表面的电子结构研究

  • 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029
  • 中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥,230026;中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029
  • 中国科学院高能物理研究所,北京,100039

摘要: 报道了纤锌矿WZ(wurtzite) GaN(0001)表面的电子结构研究.采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度,与以前实验结果一致.讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响.利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了价带电子结构.通过改变光子能量的垂直出射谱勾画沿ΓA方向的体能带结构,与计算得到的能带结构符合得较好.根据沿ΓK和ΓM方向的非垂直出射谱,确定了两个表面态的能带色散.

English Abstract

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