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Si纳米量子点的LPCVD自组织化形成及其生长机理研究

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彭英才, 池田弥央, 宫崎诚一. 2003: Si纳米量子点的LPCVD自组织化形成及其生长机理研究, 物理学报, 52(12): 3108-3113. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.030
引用本文: 彭英才, 池田弥央, 宫崎诚一. 2003: Si纳米量子点的LPCVD自组织化形成及其生长机理研究, 物理学报, 52(12): 3108-3113. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.030
shu
2003: Formation of self-assembly and the mechanism of Si nanoquantum dots prepared by low pressure chemical vapor deposition, Acta Physica Sinica, 52(12): 3108-3113. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.030
Citation: 2003: Formation of self-assembly and the mechanism of Si nanoquantum dots prepared by low pressure chemical vapor deposition, Acta Physica Sinica, 52(12): 3108-3113. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.030
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Si纳米量子点的LPCVD自组织化形成及其生长机理研究

  • 河北大学电子信息工程学院,保定,071002;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083

  • 广岛大学电气工学系,大学院先端物质科学研究科,日本广岛

Formation of self-assembly and the mechanism of Si nanoquantum dots prepared by low pressure chemical vapor deposition

  • 摘要: 采用低压化学汽相沉积(LPCVD)方法,依靠纯SiH4气体分子的表面热分解反应,在由Si-O-Si键和由Si-OH键终端的两种SiO2表面上,自组织生长了Si纳米量子点.实验研究了所形成的Si纳米量子点密度随SiO2表面的反应活性位置数、沉积温度以及反应气压的变化关系.依据LPCVD的表面热力学过程,定性地分析了Si纳米量子点的形成机理.研究结果对具有密度分布均匀和晶粒尺寸可控的Si纳米量子点的自组织生长,以及Si基新型量子电子器件的制备具有重要的实际意义.
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出版历程
  • 刊出日期:  2003-12-30

Si纳米量子点的LPCVD自组织化形成及其生长机理研究

  • 河北大学电子信息工程学院,保定,071002;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083
  • 广岛大学电气工学系,大学院先端物质科学研究科,日本广岛

摘要: 采用低压化学汽相沉积(LPCVD)方法,依靠纯SiH4气体分子的表面热分解反应,在由Si-O-Si键和由Si-OH键终端的两种SiO2表面上,自组织生长了Si纳米量子点.实验研究了所形成的Si纳米量子点密度随SiO2表面的反应活性位置数、沉积温度以及反应气压的变化关系.依据LPCVD的表面热力学过程,定性地分析了Si纳米量子点的形成机理.研究结果对具有密度分布均匀和晶粒尺寸可控的Si纳米量子点的自组织生长,以及Si基新型量子电子器件的制备具有重要的实际意义.

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