A位的Gd掺杂对La0.7Sr0.3MnO3体系磁电性质的影响

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刘宁, 高贵珍, 童伟, 张裕恒. 2003: A位的Gd掺杂对La0.7Sr0.3MnO3体系磁电性质的影响, 物理学报, 52(12): 3168-3175. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.040
引用本文: 刘宁, 高贵珍, 童伟, 张裕恒. 2003: A位的Gd掺杂对La0.7Sr0.3MnO3体系磁电性质的影响, 物理学报, 52(12): 3168-3175. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.040
2003: The inuence of Gd doping at A site on the magnetic and electrical properties in La0.7Sr0.3MnO3, Acta Physica Sinica, 52(12): 3168-3175. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.040
Citation: 2003: The inuence of Gd doping at A site on the magnetic and electrical properties in La0.7Sr0.3MnO3, Acta Physica Sinica, 52(12): 3168-3175. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.040

A位的Gd掺杂对La0.7Sr0.3MnO3体系磁电性质的影响

The inuence of Gd doping at A site on the magnetic and electrical properties in La0.7Sr0.3MnO3

  • 摘要: 通过实验研究了La0.7-xGdxSr0.3MnO3(x=0.00,0.10,0.15,0.20,0.30,0.40,0.50,0.60,0.70)体系的M-T曲线、M-H曲线、红外光谱、拉曼光谱、ρ-T曲线和MR-T曲线.实验结果表明:随着Gd掺杂的增加,体系从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态和反铁磁状态转变,高掺杂时的输运性质在其磁背景下发生异常.Gd掺杂引起的磁结构变化和额外的磁性耦合将导致庞磁电阻效应.
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出版历程
  • 刊出日期:  2003-12-30

A位的Gd掺杂对La0.7Sr0.3MnO3体系磁电性质的影响

  • 宿州师范专科学校物理系,宿州,234000;中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥,230026
  • 宿州师范专科学校物理系,宿州,234000
  • 中国科学技术大学结构分析开放实验室,合肥,230026

摘要: 通过实验研究了La0.7-xGdxSr0.3MnO3(x=0.00,0.10,0.15,0.20,0.30,0.40,0.50,0.60,0.70)体系的M-T曲线、M-H曲线、红外光谱、拉曼光谱、ρ-T曲线和MR-T曲线.实验结果表明:随着Gd掺杂的增加,体系从长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态和反铁磁状态转变,高掺杂时的输运性质在其磁背景下发生异常.Gd掺杂引起的磁结构变化和额外的磁性耦合将导致庞磁电阻效应.

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