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用脉冲激光方法在Si(100)上沉积的Cox-C1-x颗粒膜及其磁电阻效应

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朱丹丹, 章晓中, 薛庆忠. 2003: 用脉冲激光方法在Si(100)上沉积的Cox-C1-x颗粒膜及其磁电阻效应, 物理学报, 52(12): 3181-3185. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.042
引用本文: 朱丹丹, 章晓中, 薛庆忠. 2003: 用脉冲激光方法在Si(100)上沉积的Cox-C1-x颗粒膜及其磁电阻效应, 物理学报, 52(12): 3181-3185. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.042
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2003: Large magnetoresistance in Cox-C1-x granular films on Si(100) substrate prepared by pulsed laser deposition, Acta Physica Sinica, 52(12): 3181-3185. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.042
Citation: 2003: Large magnetoresistance in Cox-C1-x granular films on Si(100) substrate prepared by pulsed laser deposition, Acta Physica Sinica, 52(12): 3181-3185. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.042
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用脉冲激光方法在Si(100)上沉积的Cox-C1-x颗粒膜及其磁电阻效应

  • 清华大学材料科学与工程系,北京,100084

Large magnetoresistance in Cox-C1-x granular films on Si(100) substrate prepared by pulsed laser deposition

  • 摘要: 利用脉冲激光沉积方法在Si(100)上制备了Cox-C1-x颗粒膜,并研究了其正磁电阻效应.实验结果表明,样品在室温下的正磁电阻效应要远远高于低温下的正磁电阻效应;Co0.02-C0.98样品具有最大的室温正磁电阻效应,在外加磁场B=1T时,其磁电阻率MR=22%;随着Co含量的增加,Cox-C1-x颗粒膜的正磁电阻效应呈减小趋势.样品的MR-B的曲线与传统的多层膜及颗粒膜结构有很大的不同,这一现象表明在实验样品中可能存在着一种新的输运机制.
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出版历程
  • 刊出日期:  2003-12-30

用脉冲激光方法在Si(100)上沉积的Cox-C1-x颗粒膜及其磁电阻效应

  • 清华大学材料科学与工程系,北京,100084

摘要: 利用脉冲激光沉积方法在Si(100)上制备了Cox-C1-x颗粒膜,并研究了其正磁电阻效应.实验结果表明,样品在室温下的正磁电阻效应要远远高于低温下的正磁电阻效应;Co0.02-C0.98样品具有最大的室温正磁电阻效应,在外加磁场B=1T时,其磁电阻率MR=22%;随着Co含量的增加,Cox-C1-x颗粒膜的正磁电阻效应呈减小趋势.样品的MR-B的曲线与传统的多层膜及颗粒膜结构有很大的不同,这一现象表明在实验样品中可能存在着一种新的输运机制.

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