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SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究

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冯倩, 郝跃, 张晓菊, 刘玉龙. 2004: SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究, 物理学报, 53(2): 626-630. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.055
引用本文: 冯倩, 郝跃, 张晓菊, 刘玉龙. 2004: SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究, 物理学报, 53(2): 626-630. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.055
shu
2004: Characterization of Mg-doped GaN, Acta Physica Sinica, 53(2): 626-630. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.055
Citation: 2004: Characterization of Mg-doped GaN, Acta Physica Sinica, 53(2): 626-630. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.055
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SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究

  • 西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071

  • 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071

  • 中国科学院物理研究所光学开放实验室,北京,100080

Characterization of Mg-doped GaN

  • 摘要: 利用扫描电子显微镜、拉曼散射光谱和光致发光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的GaN:Mg薄膜特性进行研究发现:除了一部分Mg原子替代Ga原子呈现受主性外,大部分Mg原子以间隙原子状态(Mgi)存在,并且在缺陷或者位错处大量聚集引起薄膜张力应力减小,薄膜在降温过程中由于应力不均匀会在部分区域内出现大量的裂纹;Mg的掺杂会加剧GaN无序化程度,致使薄膜质量变差;而室温下的PL谱测量表明蓝带发光由DAP(深施主-浅受主)复合引起,其中D为MgGaVN,A为MgGa.
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-02-28

SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究

  • 西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071;西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
  • 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
  • 中国科学院物理研究所光学开放实验室,北京,100080

摘要: 利用扫描电子显微镜、拉曼散射光谱和光致发光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的GaN:Mg薄膜特性进行研究发现:除了一部分Mg原子替代Ga原子呈现受主性外,大部分Mg原子以间隙原子状态(Mgi)存在,并且在缺陷或者位错处大量聚集引起薄膜张力应力减小,薄膜在降温过程中由于应力不均匀会在部分区域内出现大量的裂纹;Mg的掺杂会加剧GaN无序化程度,致使薄膜质量变差;而室温下的PL谱测量表明蓝带发光由DAP(深施主-浅受主)复合引起,其中D为MgGaVN,A为MgGa.

English Abstract

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